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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第406页 > NP160N04TUG-E1-AY
数据表
MOS场效应
NP160N04TUG
开关
N沟道功率MOS FET
描述
该NP160N04TUG是N沟道MOS场效应晶体管设计用于高电流开关应用。
订购信息
产品型号
NP160N04TUG-E1-AY
NP160N04TUG-E2-AY
记
记
铅电镀
纯Sn （锡）
填料
带800的P /卷
包
TO- 263-7pin （ MP - 25ZT ） （典型值） 。 1.5克
记
无铅（此产品不包含铅，在外部电极） 。
特点
超低导通电阻
R
DS （ ON）
= 1.6 mΩ的典型值。 / 2.0 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 80 A)
高额定电流
I
D（ DC）的
=
±160
A
(TO-263-7pin)
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
40
±20
±160
±640
220
1.8
175
55
to
+175
372
61
372
V
V
A
A
W
W
°C
°C
mJ
A
mJ
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩能量
Note2
Note3
Note3
E
AS
I
AR
E
AR
重复性雪崩电流
重复性雪崩能量
注意事项1 。
PW
≤
10
μ
S，占空比
≤
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= 20 V ，R
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20
→
0 V，L = 100
μ
H
3.
R
G
= 25
Ω,
T
通道（峰值）
≤
150°C
热阻
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
0.68
83.3
° C / W
° C / W
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件D18754EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2007年5月NS CP （ K）
日本印刷
2007
NP160N04TUG
电气特性（T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门源阈值电压
正向转移导纳
记
记
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
| y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
测试条件
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
V
DS
= 5 V，I
D
= 40 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 80 A
V
DS
= 25 V,
V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
DD
= 20 V，I
D
= 80 A,
V
GS
= 10 V,
R
G
= 0
Ω
分钟。
典型值。
马克斯。
1
±100
单位
μ
A
nA
V
S
2.0
28
3.0
76
1.6
10500
980
630
47
67
94
19
4.0
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
记
2.0
15750
1470
1140
110
170
190
50
270
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Q
G
Q
GS
Q
GD
记
V
DD
= 32 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 160 A
I
F
= 160 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 160 A，V
GS
= 0 V,
的di / dt = 100 A /
μ
s
178
44
61
0.92
50
75
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
1.5
V
ns
nC
记
脉冲测试
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
Ω
PG 。
V
GS
= 20
→
0 V
50
Ω
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
R
L
V
DD
V
GS
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
V
DS
90%
90%
10%
10%
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
τ
τ
= 1
μ
s
占空比
≤
1%
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
Ω
R
L
V
DD
2
数据表D18754EJ1V0DS
NP160N04TUG
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
120
250
总功耗对比
外壳温度
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
P
T
- 总功耗 - W
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度 -
°C
正向偏置安全工作区
T
C
- 外壳温度 -
°C
10000
1000
100
10
1
TC = 25°C
单脉冲
R
GS
(V
（ ON
DS
)
I
D
- 漏电流 - 一个
它编
LIM）
0V
= 1
i
I
D（脉冲）
PW
=1
i
00
μ
s
I
D（ DC）的
DC
co
Se
1
i
m
i
s
1
i
0
w
Po
D
er
m
i
s
y
ar
nd
br
o
ed
ak
w
n
吨IO
IP中的
国际空间站
d
IT ê
im
nL
d
IT ê
m
Li
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
100
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
R
第（章-a）的
= 83.3 ° C /无线网络
10
1
R
TH（ CH-C ）
= 0.68 ° C /无线网络
0.1
单脉冲
0.01
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表D18754EJ1V0DS
3
NP160N04TUG
漏电流与
漏源极电压
正向传递特性
700
600
I
D
- 漏电流 - 一个
1000
100
I
D
- 漏电流 - 一个
500
400
300
200
100
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
= 10 V
脉冲
10
1
0.1
0.01
0.001
1
2
3
4
5
6
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
T
A
=
55°C
25°C
75°C
125°C
175°C
V
DS
= 10 V
脉冲
门源阈值电压 -
通道温度
V
GS （ TH）
- 门源阈值电压 - V
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-75
-25
25
75
125
175
225
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μA
1000
正向转移导纳主场迎战
漏电流
100
T
ch
=
55°C
25°C
75°C
10
150°C
175°C
0.1
1
10
V
DS
= 5 V
脉冲
100
1
T
ch
- 通道温度 -
°
C
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通电阻与
漏电流
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
5
4
3
2
1
0
1
10
100
1000
V
GS
= 10 V
脉冲
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
I
D
= 80 A
脉冲
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
4
数据表D18754EJ1V0DS
NP160N04TUG
漏极至源极导通电阻与
通道温度
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
电容与漏源极电压
100000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
5
4
3
2
1
脉冲
0
-75
-25
25
75
125
175
225
T
ch
- 通道温度 -
°
C
V
GS
= 10 V
I
D
= 80 A
C
国际空间站
10000
C
OSS
1000
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
100
0.01
0.1
1
C
RSS
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
开关特性
1000
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
动态输入/输出特性
40
35
30
25
20
15
10
5
0
V
DS
I
D
= 160 A
脉冲
150
0
200
3
V
GS
6
V
DD
= 32 V
15 V
8V
12
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
t
D（关闭）
100
t
D（上）
10
t
r
V
DD
= 20 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 0
Ω
0.1
1
10
100
1000
t
f
9
1
0
50
100
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
源极到漏极二极管
正向电压
1000
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
反向恢复时间对比
二极管的正向电流
1000
100
V
GS
= 10 V
10
0V
100
10
的di / dt = 100 A / μs的
V
GS
= 0 V
1
0.1
1
10
100
1000
1
脉冲
0.1
0
0.5
1
1.5
V
F（ S- D）的
- 源极到漏极电压 - V
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
数据表D18754EJ1V0DS
5
数据表
MOS场效应
NP160N04TUG
开关
N沟道功率MOS FET
描述
该NP160N04TUG是N沟道MOS场效应晶体管设计用于高电流开关应用。
订购信息
产品型号
NP160N04TUG-E1-AY
NP160N04TUG-E2-AY
记
记
铅电镀
纯Sn （锡）
填料
带800的P /卷
包
TO- 263-7pin （ MP - 25ZT ） （典型值） 。 1.5克
记
无铅（此产品不包含铅，在外部电极） 。
特点
超低导通电阻
R
DS （ ON）
= 1.6 mΩ的典型值。 / 2.0 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 80 A)
高额定电流
I
D（ DC）的
=
±160
A
(TO-263-7pin)
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
40
±20
±160
±640
220
1.8
175
55
to
+175
372
61
372
V
V
A
A
W
W
°C
°C
mJ
A
mJ
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩能量
Note2
Note3
Note3
E
AS
I
AR
E
AR
重复性雪崩电流
重复性雪崩能量
注意事项1 。
PW
≤
10
μ
S，占空比
≤
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= 20 V ，R
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20
→
0 V，L = 100
μ
H
3.
R
G
= 25
Ω,
T
通道（峰值）
≤
150°C
热阻
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
0.68
83.3
° C / W
° C / W
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件D18754EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2007年5月NS CP （ K）
日本印刷
2007
NP160N04TUG
电气特性（T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门源阈值电压
正向转移导纳
记
记
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
| y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
测试条件
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
V
DS
= 5 V，I
D
= 40 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 80 A
V
DS
= 25 V,
V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
DD
= 20 V，I
D
= 80 A,
V
GS
= 10 V,
R
G
= 0
Ω
分钟。
典型值。
马克斯。
1
±100
单位
μ
A
nA
V
S
2.0
28
3.0
76
1.6
10500
980
630
47
67
94
19
4.0
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
记
2.0
15750
1470
1140
110
170
190
50
270
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Q
G
Q
GS
Q
GD
记
V
DD
= 32 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 160 A
I
F
= 160 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 160 A，V
GS
= 0 V,
的di / dt = 100 A /
μ
s
178
44
61
0.92
50
75
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
1.5
V
ns
nC
记
脉冲测试
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
Ω
PG 。
V
GS
= 20
→
0 V
50
Ω
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
R
L
V
DD
V
GS
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
V
DS
90%
90%
10%
10%
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
τ
τ
= 1
μ
s
占空比
≤
1%
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
Ω
R
L
V
DD
2
数据表D18754EJ1V0DS
NP160N04TUG
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
120
250
总功耗对比
外壳温度
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
P
T
- 总功耗 - W
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度 -
°C
正向偏置安全工作区
T
C
- 外壳温度 -
°C
10000
1000
100
10
1
TC = 25°C
单脉冲
R
GS
(V
（ ON
DS
)
I
D
- 漏电流 - 一个
它编
LIM）
0V
= 1
i
I
D（脉冲）
PW
=1
i
00
μ
s
I
D（ DC）的
DC
co
Se
1
i
m
i
s
1
i
0
w
Po
D
er
m
i
s
y
ar
nd
br
o
ed
ak
w
n
吨IO
IP中的
国际空间站
d
IT ê
im
nL
d
IT ê
m
Li
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
100
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
R
第（章-a）的
= 83.3 ° C /无线网络
10
1
R
TH（ CH-C ）
= 0.68 ° C /无线网络
0.1
单脉冲
0.01
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表D18754EJ1V0DS
3
NP160N04TUG
漏电流与
漏源极电压
正向传递特性
700
600
I
D
- 漏电流 - 一个
1000
100
I
D
- 漏电流 - 一个
500
400
300
200
100
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
= 10 V
脉冲
10
1
0.1
0.01
0.001
1
2
3
4
5
6
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
T
A
=
55°C
25°C
75°C
125°C
175°C
V
DS
= 10 V
脉冲
门源阈值电压 -
通道温度
V
GS （ TH）
- 门源阈值电压 - V
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-75
-25
25
75
125
175
225
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μA
1000
正向转移导纳主场迎战
漏电流
100
T
ch
=
55°C
25°C
75°C
10
150°C
175°C
0.1
1
10
V
DS
= 5 V
脉冲
100
1
T
ch
- 通道温度 -
°
C
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通电阻与
漏电流
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
5
4
3
2
1
0
1
10
100
1000
V
GS
= 10 V
脉冲
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
I
D
= 80 A
脉冲
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
4
数据表D18754EJ1V0DS
NP160N04TUG
漏极至源极导通电阻与
通道温度
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
电容与漏源极电压
100000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
5
4
3
2
1
脉冲
0
-75
-25
25
75
125
175
225
T
ch
- 通道温度 -
°
C
V
GS
= 10 V
I
D
= 80 A
C
国际空间站
10000
C
OSS
1000
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
100
0.01
0.1
1
C
RSS
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
开关特性
1000
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
动态输入/输出特性
40
35
30
25
20
15
10
5
0
V
DS
I
D
= 160 A
脉冲
150
0
200
3
V
GS
6
V
DD
= 32 V
15 V
8V
12
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
t
D（关闭）
100
t
D（上）
10
t
r
V
DD
= 20 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 0
Ω
0.1
1
10
100
1000
t
f
9
1
0
50
100
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
源极到漏极二极管
正向电压
1000
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
反向恢复时间对比
二极管的正向电流
1000
100
V
GS
= 10 V
10
0V
100
10
的di / dt = 100 A / μs的
V
GS
= 0 V
1
0.1
1
10
100
1000
1
脉冲
0.1
0
0.5
1
1.5
V
F（ S- D）的
- 源极到漏极电压 - V
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
数据表D18754EJ1V0DS
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NT68667
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