位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第447页 > NP83P06PDG-E1-AY > NP83P06PDG-E1-AY PDF资料 > NP83P06PDG-E1-AY PDF资料1第3页
NP83P06PDG
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
180
总功耗对比
外壳温度
P
T
- 总功耗 - W
150
120
90
60
30
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
T
ch
- 通道温度 -
°C
正向偏置安全工作区
T
C
- 外壳温度 -
°C
-1000
I
D（脉冲）
PW
-100
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D（ DC）的
DC
w
Po
=1
i
00
μ
s
1
i
m
i
s
-10
-1
-0.1
R
DS （ ON）
有限
(V
GS
=
10V)
1
i
0
m
i
s
D
er
我是SS
ip
io
at
d
IT ê
im
nL
-0.01
-0.1
T
C
= 25°C
单脉冲
-1
-10
-100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
1000
100
R
第（章-a）的
= 83.3 ° C /无线网络
10
1
R
TH（ CH-C ）
= 1.0 ℃/无线网络
0.1
单脉冲
0.01
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表D18691EJ3V0DS
3
