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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第447页 > NP83P06PDG-E1-AY
数据表
MOS场效应
NP83P06PDG
开关
P沟道功率MOSFET
描述
该NP83P06PDG是P沟道MOS场效应晶体管设计用于高电流开关应用。
<R>
订购信息
产品型号
NP83P06PDG-E1-AY
NP83P06PDG-E2-AY
记
记
铅电镀
纯Sn （锡）
填料
带800的P /卷
包
TO- 263 （ MP- 25ZP ）
记
无铅（此产品不含Pb在外部电极）。
特点
超低导通电阻
R
DS(on)1
= 8.8 mΩ以下。 （V
GS
=
10
V，I
D
=
41.5
A)
R
DS(on)2
= 12 mΩ以下。 （V
GS
=
4.5
V，I
D
=
41.5
A)
高额定电流：我
D（ DC）的
=
m83
A
(TO-263)
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
60
m20
m83
m249
150
1.8
175
55
to
+175
49
240
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note2
Note2
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
≤
10
μ
S，占空比
≤
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
=
30
V ，R
G
= 25
Ω,
V
GS
=
20 →
0 V
热阻
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
1.0
83.3
° C / W
° C / W
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证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件D18691EJ3V0DS00 （第3版）
发布日期2007年5月NS CP （ K）
日本印刷
2007
标记<R>表示主要修改点。
"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。
NP83P06PDG
电气特性（T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门源阈值电压
正向转移导纳
记
记
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
测试条件
V
DS
=
60
V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
m20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
=
10
V，I
D
=
1
mA
V
DS
=
10
V，I
D
=
41.5
A
V
GS
=
10
V，I
D
=
41.5
A
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
41.5
A
V
DS
=
10
V,
V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
DD
=
30
V，I
D
=
41.5
A,
V
GS
=
10
V,
R
G
= 0
Ω
分钟。
典型值。
马克斯。
10
m100
单位
μ
A
nA
V
S
1.0
30
1.6
60
6.9
8.0
10100
1140
660
36
20
230
200
2.5
漏极至源极导通电阻
8.8
12
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
记
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
V
DD
=
48
V,
V
GS
=
10
V,
I
D
=
83
A
I
F
=
83
A，V
GS
= 0 V
I
F
=
83
A，V
GS
= 0 V,
的di / dt =
100
A/
μ
s
190
20
53
0.94
63
101
1.5
V
ns
nC
记
脉冲测试PW
≤
350
μ
S，占空比
≤
2%
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
Ω
PG 。
V
GS
=
20 →
0 V
I
D
V
DD
50
Ω
L
V
DD
PG 。
BV
DSS
V
DS
V
GS
()
0
τ
起始物为
ch
τ
= 1
μ
s
占空比
≤
1%
V
DS
电波表
测试电路2开关时间
D.U.T.
R
L
R
G
V
DD
V
DS
()
90%
10% 10%
90%
V
GS
()
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
I
AS
V
DS
0
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
=
2
mA
PG 。
50
Ω
R
L
V
DD
2
数据表D18691EJ3V0DS
NP83P06PDG
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
180
总功耗对比
外壳温度
P
T
- 总功耗 - W
150
120
90
60
30
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
T
ch
- 通道温度 -
°C
正向偏置安全工作区
T
C
- 外壳温度 -
°C
-1000
I
D（脉冲）
PW
-100
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D（ DC）的
DC
w
Po
=1
i
00
μ
s
1
i
m
i
s
-10
-1
-0.1
R
DS （ ON）
有限
(V
GS
=
10V)
1
i
0
m
i
s
D
er
我是SS
ip
io
at
d
IT ê
im
nL
-0.01
-0.1
T
C
= 25°C
单脉冲
-1
-10
-100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
1000
100
R
第（章-a）的
= 83.3 ° C /无线网络
10
1
R
TH（ CH-C ）
= 1.0 ℃/无线网络
0.1
单脉冲
0.01
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表D18691EJ3V0DS
3
NP83P06PDG
漏电流与
漏源极电压
-250
-200
V
GS
=
10
V
正向传递特性
-1000
-100
I
D
- 漏电流 - 一个
V
DS
=
10
V
脉冲
I
D
- 漏电流 - 一个
-10
-1
-0.1
-0.01
T
ch
=
55°C
25°C
25°C
75°C
125°C
150°C
175°C
0
-1
-2
-3
-4
-5
-150
-100
-50
4.5
V
脉冲
0
0
-1
-2
-3
-4
-0.001
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
正向转移导纳主场迎战
漏电流
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
门源阈值电压 -
通道温度
V
GS （ TH）
- 门源阈值电压 - V
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
0
-75
-25
25
75
125
175
225
T
ch
- 通道温度 -
°C
漏极至源极导通电阻与
漏电流
1000
T
ch
=
55°C
25°C
25°C
75°C
125°C
150°C
175°C
100
10
1
V
DS
=
10
V
脉冲
0.1
-0.1
-1
-10
-100
V
DS
=
10
V
I
D
=
1
mA
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
20
30
15
20
10
V
GS
=
4.5
V
10
V
脉冲
I
D
=
83
A
41.5
A
17
A
10
5
脉冲
0
0
-5
-10
-15
-20
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
0
-1
-10
-100
-1000
I
D
- 漏电流 - 一个
4
数据表D18691EJ3V0DS
NP83P06PDG
漏极至源极导通电阻与
通道温度
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
电容与漏源极电压
100000
20
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
15
V
GS
=
4.5
V
C
国际空间站
10000
C
OSS
1000
C
RSS
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
100
-0.1
-1
-10
-100
10
10V
5
I
D
=
41.5
A
脉冲
0
-75
-25
25
75
125
175
225
T
ch
- 通道温度 -
°C
开关特性
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
动态输入/输出特性
1000
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
-60
t
D（关闭）
t
f
-50
-40
-30
-20
-10
0
-1
-10
-100
0
40
80
120
160
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
-12
V
DD
=
48
V
30
V
12
V
-10
-8
-6
V
GS
V
DS
-4
-2
I
D
=
83
A
0
200
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
100
t
D（上）
10
V
DD
=
30
V
V
GS
=
10
V
R
G
= 0
Ω
t
r
1
-0.1
源极到漏极二极管
正向电压
反向恢复时间对比
二极管的正向电流
-1000
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
1000
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
-100
-10
-1
-0.1
脉冲
-0.01
0
0.5
1
1.5
V
F（ S- D）的
- 源极到漏极电压 - V
100
V
GS
=
10
V
0V
10
的di / dt =
100
A / μs的
V
GS
= 0 V
1
-0.1
-1
-10
-100
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
数据表D18691EJ3V0DS
5
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NAND512W4A2AZA6F
NAND256R4A2AZA1
NNCD9.1B
NC7WZ02L8X(PRELIMINARY)
NJU26164
NJL5196K-F10
NSAM2CS73VDC
NM24C32UVN
NATR8LL
NPN2222A
NAND128R3A2BZA6E
NR-2B
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NP83P06PDG-E1-AY
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市金嘉锐电子有限公司
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电话：0755-22929859
联系人：朱先生
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NP83P06PDG-E1-AY
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TO-263
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NP83P06PDG-E1-AY
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全新原装！优势现货！
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联系人：朱
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