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H5N5007P
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
ADE - 208-1404B （ Z）
3 。版
2002年2月
特点
低导通电阻
低漏电流
高速开关
低栅电荷
概要
TO–3P
D
G
1
S
2
3
1.门
2.漏（法兰）
3.源
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