【H5N5007P硅N沟道MOS FET高速电源开关ADE - 208-1404B （ Z）3 。版2】,IC型号H5N5007P,H5N5007P PDF资料,H5N5007P经销商,ic,电子元器件-51电子网

H5N5007P

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

ADE - 208-1404B （ Z）

3 。版

2002年2月

特点

低导通电阻

低漏电流

高速开关

低栅电荷

概要

TO–3P

D

G

1

S

2

3

1.门

2.漏（法兰）

3.源

H5N5007P

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

散热通道

通道到外壳的热阻

通道温度

储存温度

注意：

1. PW

≤

为10μs ，占空比

≤

1 %

2.价值在Tc = 25℃

3.总胆固醇

≤150°C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

I

DR

I

AP

Note3

Note2

Note1

评级

500

±30

25

100

25

7

150

0.833

150

-55到+150

单位

V

A

W

° C / W

°C

PCH

θch -C

总胆固醇

TSTG

Rev.2号文件， 2002年2月， 10个2页

H5N5007P

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

门源漏电流

零门voltege漏电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

符号最小值

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Qg

QGS

QGD

500

—

3.0

—

14

—

典型值

—

0.18

24

3900

375

78

55

110

225

110

135

22

74

0.9

390

5

最大

—

±0.1

1

4.0

0.225

—

1.4

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

nC

V

ns

C

测试条件

I

D

= 10毫安，V

GS

= 0

V

GS

= ±30V, V

DS

= 0

V

DS

= 500 V, V

GS

= 0

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 12.5A ，V

GS

= 10V

Note4

I

D

= 12.5A ，V

DS

= 10V

V

DS

= 25V

V

GS

= 0

F = 1MHz的

I

D

= 12.5A

V

GS

= 10V

R

L

= 20

R

g

= 10

V

DD

= 400V

V

GS

= 10V

I

D

= 25A

I

F

= 25A ，V

GS

= 0

I

F

= 25A ，V

GS

= 0

DIF / DT = 100A / μs的

Note4

体漏二极管的正向电压V

DF

体漏二极管的反向

恢复时间

体漏二极管的反向

恢复电荷

注意：

4.脉冲测试

t

rr

Q

rr

Rev.2号文件， 2002年2月， 10个3页

H5N5007P

主要特点

功率与北部沿海地区降额

200

1000

300

最高安全工作区

P沟（W）的

I

D

(A)

100

30

10

3

1

0.3

操作在此

0.03

面积有限

由R

DS （ ON）

PW = 10毫秒（ 1SHOT ）

150

1

散热通道

100

50

漏电流

DC

O

(T

C =每

25 ATIO

n

°

C

)

10

m

0

s

0.1

0

50

100

150

TC （ ℃）

200

北部沿海地区案例

TA = 25°C

0.01

0.1 0.3 1 3 10 30 100 300 1000

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

50

脉冲测试

10 V

8V

6V

40

50

40

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

I

D

(A)

I

D

(A)

5.5 V

30

漏电流

20

10

20

10

25°C

TC = 75℃

25°C

V

GS

= 5 V

4

8

12

16

20

漏极至源极电压V

DS

(V)

0

2

4

6

栅极至源极电压

10

8

V

GS

(V)

Rev.2号文件， 2002年2月， 10第4页

H5N5007P

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

1

2

5

10 20

50

漏电流I

D

(A)

100

脉冲测试

V

GS

= 10 V, 15 V

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

8

6

I

D

= 25 A

4

15 A

2

5A

0

4

8

16

20

栅极至源极电压V

GS

(V)

12

漏极至源极导通电阻

R

DS

（上）

()

10

静态漏极至源极通态电阻

R

DS

（上）

()

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

0.5

脉冲测试

0.4

V

GS

= 10 V

I

D

= 25 A

0.3

15 A

0.2

5A

100

50

20

10

5

2

1

0.5

0.2

正向转移导纳主场迎战

漏电流

TC =

25°C

75°C

0.1

0

25

0

25 50 75 100 125 150

CACE温度TC（ ℃）

0.1

0.1 0.2 0.5 1

V

DS

= 10 V

脉冲测试

2

5 10 20

I

D

(A)

50 100

漏电流

Rev.2号文件， 2002年2月， 10个5页

H5N5007P

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

REJ03G1116-0400

（上一个： ADE- 208-1404B ）

Rev.4.00

2005年9月7日

特点

低导通电阻

低漏电流

高速开关

低栅电荷

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004ZE -A

（包名称： TO- 3P ）

D

G

1.门

2.漏（法兰）

3.源

1

2

3

S

Rev.4.00 2005年9月7日第1页6

H5N5007P

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

散热通道

通道到外壳的热阻

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.价值在Tc = 25℃

3.总胆固醇

≤

150°C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

I

DR

注1

价值

500

±30

25

100

25

7

150

0.833

150

-55到+150

单位

V

A

W

° C / W

°C

I

AP

注2

PCH

θ

CH-C

总胆固醇

TSTG

注3

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

体漏二极管的反向恢复电荷

注： 4.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （关闭）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Qg

QGS

QGD

V

DF

t

rr

Q

rr

民

500

—

3.0

—

14

—

典型值

—

0.18

24

3900

375

78

55

110

225

110

135

22

74

0.9

390

5

最大

—

±0.1

1

4.0

0.225

—

1.4

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

nC

V

ns

C

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

V

GS

=

±30

V, V

DS

= 0

V

DS

= 500 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 12.5 A，V

GS

= 10 V

注4

I

D

= 12.5 A，V

DS

= 10 V

V

DS

= 25 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

I

D

= 12.5 A

V

GS

= 10 V

R

L

= 20

RG = 10

V

DD

= 400 V

V

GS

= 10 V

I

D

= 25 A

I

F

= 25 A，V

GS

= 0

I

F

= 25 A，V

GS

= 0

di

F

/ DT = 100 A / μs的

注4

Rev.4.00 2005年9月7日第2 6

H5N5007P

主要特点

功率与温度降额

P沟（W）的

200

1000

300

10

最高安全工作区

I

D

(A)

100

30

10

PW = 10毫秒（ 1SHOT ）

D

1

C

O

pe

150

散热通道

m

10

s

0

s

漏电流

100

3

1

0.3

0.1

ra

TIO

n

(T

c

=

25

50

°C

0

50

100

150

200

操作

这个区域是

0.03

TA = 25°C的限制由R

DS （ ON）

0.01

0.1 0.3 1

3

10 30 100 300 1000

)

外壳温度

TC （ ℃）

漏源极电压

V

DS

(V)

典型的输出特性

50

脉冲测试

10 V

8V

6V

50

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

I

D

(A)

30

I

D

(A)

5.5 V

40

30

漏电流

20

漏电流

20

–25°C

10

TC = 75℃

25°C

0

10

V

GS

= 5 V

0

4

8

12

16

20

0

2

4

6

8

10

漏源极电压

V

DS

(V)

栅极至源极电压

V

GS

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

10

脉冲测试

8

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

()

1

脉冲测试

0.5

6

0.2

0.1

V

GS

= 10 V, 15 V

I

D

= 25 A

4

15 A

2

5A

0

4

8

12

16

20

0.05

0.02

0.01

1

2

5

10

20

50

100

栅极至源极电压

V

GS

(V)

漏电流

I

D

(A)

Rev.4.00 2005年9月7日第3页6

H5N5007P

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

正向转移导纳| YFS | （ S）

0.5

100

50

TC = -25°C

20

10

5

2

1

0.5

0.2

0.1

0.1 0.2

0.5 1

2

5

V

DS

= 10 V

脉冲测试

10 20

50 100

75°C

25°C

脉冲测试

V

GS

= 10 V

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳主场迎战

漏电流

0.4

I

D

= 25 A

15 A

5A

0.1

0.3

0.2

0

–25

0

25

50

75

100 125 150

外壳温度

TC （ ℃）

漏电流

I

D

(A)

体漏二极管的反向

恢复时间

1000

典型的电容比。

漏源极电压

100000

50000

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

西塞

反向恢复时间trr （ NS ）

500

的di / dt = 100 A /

s

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

200

100

50

电容C （PF ）

20000

10000

5000

2000

1000

500

200

100

50

20

10

0

科斯

CRSS

20

10

0.1

0.3

1

3

10

30

100

50

100

150

200

反向漏电流

I

DR

(A)

漏源极电压

V

DS

(V)

动态输入特性

V

DS

(V)

I

D

= 25 A

V

GS

600

V

DD

= 100 V

250 V

400 V

V

DS

开关特性

V

GS

(V)

16

10000

V

GS

= 10 V, V

DD

= 250 V

PW = 5

s,

税

≤

1 %

R

G

= 10

1000

t

D（关闭）

100

t

f

t

D（上）

t

r

800

12

漏源极电压

400

8

栅极至源极电压

开关时间t（ NS ）

t

f

200

V

DD

= 400 V

250 V

100 V

0

40

80

120

160

4

t

r

10

0.1

0.3

1

3

10

30

100

0

200

栅极电荷

QG （ NC ）

漏电流

I

D

(A)

Rev.4.00 2005年9月7日第4 6

H5N5007P

反向漏电流 -

源极到漏极电压

100

门源截止电压V

GS （ OFF ）

(V)

门源截止电压

与外壳温度

5

I

D

= 10毫安

1毫安

I

DR

(A)

脉冲测试

80

4

反向漏电流

60

3

40

2

0.1毫安

20

5, 10 V

0

0.4

0.8

V

GS

= 0 V

1

V

DS

= 10 V

0

–25

0

25

50

75

100 125 200

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压

V

SD

(V)

外壳温度

TC （ ℃）

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

γ

秒（ t）的

3

TC = 25°C

1

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

θ

CH - C （ T） =

γ

S（ T）

θ

CH - C

θ

CH - C = 0.833

°

C / W ，TC = 25

°

C

P

DM

u

tp

LSE

D=

PW

T

PW

T

0.03

0.02

1

0.0

1s

ho

0.01

10

100

1m

10 m

100 m

1

10

脉冲宽度

PW （S ）

开关时间测试电路

波形

输入电压监视器

D.U.T.

R

L

10

VIN

10 V

VOUT

MONITOR

VIN

VOUT

V

DD

= 250 V

10%

90%

10%

90%

t

D（上）

t

r

90%

t

D（关闭）

t

f

Rev.4.00 2005年9月7日第5 6