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V
DD
*
V
TT
不直接向设备施加，然而吨
VTD
必须是
大于或等于零，以避免装置闭锁。
**
t
MRD
是必需的任何指令可以应用前和
需要200个周期CK的读取命令才能应用。
这两个自动刷新命令可以移动到遵循先刘健，
但先于第二预充电所有命令。
V
DDQ
t
VTD
V
TT
（系统* ）
V
REF
t
CK
t
CH
纳安解决方案公司
商务部＃ 14-02-044版本A ECN ＃ 01-1116
200次CK的**
t
CL
t
MRD
t
MRD
t
RP
t
RFC
t
RFC
t
MRD
200s
初始化和模式寄存器集
CK
CK
t
IH
t
IS
CKE
t
IH
t
IS
NOP
PRE
EMRS
太太
PRE
AR
AR
LVCMOS LOW LEVEL
命令
太太
法案
DM
t
IH
t
IS
CODE
t
IH
t
IS
CODE
t
IS
CODE
t
IH
t
IS
CODE
RA
CODE
t
IH
CODE
RA
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参阅http://www.nanoamp.com
A0-A9, A11
A10
所有银行
t
IH
t
IS
BA0=H
BA1=L
所有银行
BA0 ， BA1
BA0=L
BA1=L
BA0=L
BA1=L
BA
高-Z
的DQ
高-Z
DQ
NT5DS64M4CT ， NT5DS32M8CT ， NT5DS16M16CT
NT5DS64M4CS ， NT5DS32M8CS ， NT5DS16M16CS
不在乎
电：
V
DD
和CK
稳定
扩展模式
寄存器集
负载模式
寄存器，复位DLL
负载模式
注册
（与A8 = L ）
64
