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纳安解决方案公司
自动预充电
NT5DS64M4CT ， NT5DS32M8CT ， NT5DS16M16CT
NT5DS64M4CS ， NT5DS32M8CS ， NT5DS16M16CS
自动预充电是一种特性，它执行与上述相同的个人银行预充电功能，但不要求
明确的命令。这是通过使用A10启用自动预充电结合特定的读或写完成
命令。该行/列的被寻址的读或写命令后，自动进行预充电
在读或写突发完成。自动预充电是非持久性的，因为它是已启用或为每个单独的禁用
读或写命令。自动预充电可以确保在预充电时，在一个脉冲串内的最早的有效阶段启动。这是
确定是否一个明确的预充电命令发出，在最快的时间不违反吨
RAS
（分钟）。用户
绝不能发出另一指令给同一行，直到预充电（叔
RP
）就完成了。
在DDR SDRAM器件支持可选吨
RAS
锁定功能。此功能允许带自动预读命令
将予发行的银行已被激活（打开） ，但尚未满足的T充
RAS
（分钟）规范。经t
RAS
锁定功能基本上是延迟自动预充电操作的开始，直到两个条件出现。之一，在整个脉冲串
数据的长度已经被成功地从存储器阵列预取;和2 ，叔
RAS
（分）已被满足。
作为一种手段，以指定一个DDR SDRAM器件是否支持的T
RAS
锁定功能，新的参数已被定义，
t
RAP
（ RAS命令读取命令与自动预充电或更好的既定银行激活读取命令与自动预
充电） 。对于支持的T设备
RAS
锁定功能，T
RAP
= t
RCD
（分钟）。这允许任何读命令（带或不带
自动预充电），将发行一个开放的银行，一旦吨
RCD
（分钟）的关系。
t
RAP
德网络nition
CL = 2 ，叔
CK
=10ns
CK
CK
命令
DQ （ BL = 2 ）
t
RASmin
命令
DQ （ BL = 4 ）
NOP
法案
NOP
RD一
NOP
NOP
DQ0
NOP
法案
NOP
RD一
NOP
NOP
DQ0
NOP
DQ1
NOP
法案
NOP
NOP
*
DQ1
t
RPMIN
NOP
DQ3
法案
NOP
NOP
NOP
DQ2
命令
DQ （ BL = 8 ）
NOP
法案
NOP
RD一
NOP
NOP
DQ0
*
DQ1
t
RPMIN
NOP
DQ3
DQ4
NOP
DQ5
DQ6
法案
DQ7
NOP
NOP
DQ2
t
RCDmin
t
RAPmin
在上述时序图显示吨的效果
RAP
为支持T设备
RAS
锁定。在这些情况下，读
带自动预充电命令（ RDA）是与T发出
RCD
（分钟）和DATAOUT可从最短的等待时间
行激活命令（ ACT ） 。内部预充电操作，但是，不开始，直到吨后
RAS
（分钟）的关系。
*
*
t
RPMIN
指示自动预充电从这里开始
BURST TERMINATE
突发终止命令用于截断读连发（带自动预充电禁用）。最重最近的注册
阅读前突发命令终止命令被截断，如本数据表的操作部分。写
脉冲串周期未结束的突发终止命令。
商务部＃ 14-02-044版本A ECN ＃ 01-1116
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参阅http://www.nanoamp.com
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