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NT512D64S8HB1G / NT512D64S8HB1GY / NT512D64S8HB0G
NT256D64S88B1G / NT256D64S88B1GY NT256D64S88B0G
NT128D64SH4B1G / NT512D72S8PB0G ( ECC ) / NT256D72S89B0G ( ECC )
无缓冲DDR DIMM
工作,待机和刷新电流
T
A
= 0 ° C 70 ℃; V
DDQ
= V
DD
= 2.5V ± 0.2V ( PC2100 / PC2700 ) ; V
DDQ
= V
DD
= 2.6V ± 0.1V ( PC3200 )
符号
IDD0
IDD1
IDD2P
IDD2N
IDD3P
IDD3N
IDD4R
IDD4W
IDD5
IDD6
IDD7
参数/条件
工作电流:一家银行;主动/预充电;吨
RC
= t
RC ( MIN )
; t
CK
= t
CK (MIN)
; DQ , DM和DQS输入两次改变每
时钟周期;地址和控制输入,每个时钟周期改变一次
工作电流:一家银行;主动/读/预充电;突发= 2;吨
RC
= t
RC ( MIN )
; CL = 2.5 ;吨
CK
= t
CK (MIN)
; I
OUT
= 0毫安;地址
控制输入每个时钟周期改变一次
预充电掉电待机电流:所有银行闲置;掉电模式; CKE
V
白细胞介素(最大)
; t
CK
= t
CK (MIN)
空闲待机电流: CS
V
IH( MIN)的
;所有银行闲置; CKE
V
IH( MIN)的
; t
CK
= t
CK (MIN)
;地址和控制输入改变一次
在每个时钟周期
主动掉电待机电流:一是银行主动;掉电模式; CKE
V
白细胞介素(最大)
; t
CK
= t
CK (MIN)
主动待机电流:一家银行;主动/预充电; CS
V
IH( MIN)的
; CKE
V
IH( MIN)的
; t
RC
= t
RAS (最大)
; t
CK
= t
CK (MIN)
; DQ , DM和
DQS输入每个时钟周期改变的两倍;地址和控制输入,每个时钟周期改变一次
工作电流:一家银行;突发= 2;读取;连拍;地址和控制输入,每个时钟周期改变一次;
DQ和DQS输出每时钟周期改变的两倍; CL = 2.5 ;吨
CK
= t
CK (MIN)
; I
OUT
= 0毫安
工作电流:一家银行;突发= 2;写;连拍;地址和控制输入,每个时钟周期改变一次;
DQ和DQS输入每个时钟周期改变的两倍; CL = 2.5 ;吨
CK
= t
CK (MIN)
自动刷新电流:吨
RC
= t
RFC (MIN)
自刷新电流: CKE
0.2V
工作电流: 4行; 4银行, BL = 4的交织,地址和控制输入随机改变; 50%的
数据在每个传输不断变化的;吨
RC
= t
RC ( MIN )
; I
OUT
= 0毫安。
笔记
1,2
1,2
1,2
1,2
1,2
1,2
1,2
1,2
1,2,3
1,2
1,2
1. IDD规格测试后,该设备已正确初始化。
2.输入转换率= 1V / ns的。
3.电流在7.8
s
时间是在t平均IDD5价值
RFC (MIN)
和IDD2P超过7.8
s.
所有IDD电流值从设备级计算。
REV 2.2
2004年8月3日
18
NANYA保留更改产品规格,恕不另行通知。
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初步

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