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NTD4809NH
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.95
0.83
15.6
V
GS
= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，
I
S
= 30 A
10.6
5.0
7.5
nC
ns
1.2
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复时间
封装寄生效应值
源极电感
排水电感， DPAK
排水电感， IPAK
门电感
栅极电阻
t
RR
ta
tb
Q
RR
L
S
L
D
L
D
L
G
R
G
T
A
= 25°C
2.49
0.0164
1.88
3.46
0.75
nH
W
http://onsemi.com
3
