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NTD4809NH
功率MOSFET
30 V ， 58 A单N沟道， DPAK / IPAK
特点
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
这些无铅器件
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
最大
9.0毫瓦@ 10 V
14毫瓦@ 4.5 V
D
I
D
最大
58 A
应用
CPU电源交付
DC-DC转换器
低端开关
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（R
qJA
） （注1 ）
功耗
(R
qJA
） （注1 ）
连续漏极
电流（R
qJA
） （注2 ）
功耗
(R
qJA
） （注2 ）
连续漏极
电流（R
QJC
)
（注1 ）
功耗
(R
QJC
） （注1 ）
漏电流脉冲
t
p
=10ms
通过封装电流限制
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
I
Dmaxpkg
T
J
, T
英镑
I
S
dv / dt的
E
AS
P
D
I
D
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
"20
11.5
9.0
2.0
9.0
7.0
1.3
58
45
52
130
45
-55
175
43
6.0
112.5
W
A
A
°C
A
V / ns的
mJ
W
A
W
A
单位
V
V
A
N沟道
G
S
4
4
1 2
3
DPAK
CASE 369C
（本特铅）
方式2
1
3
3 IPAK
IPAK
CASE 369AD
CASE 369D
（直引线） （直引线
DPAK ）
2
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
YWW
48
09NH
4
漏
YWW
48
09NH
4
漏
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
漏极到源极的dV / dt
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（V
DD
= 24 V, V
GS
= 10 V,
L = 1.0 mH的，我
L（ PK）
= 15 A，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
T
L
260
°C
2
1 2 3
排水3
1
门漏源
门源
1 2 3
门漏源
Y
=年
WW
=工作周
4809NH =器件代码
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年11月 - 第1版
出版订单号：
NTD4809NH/D
YWW
48
09NH
