位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第462页 > NTLJF3117PT1G > NTLJF3117PT1G PDF资料 > NTLJF3117PT1G PDF资料2第2页
NTLJF3117P
肖特基二极管的最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
反向重复峰值电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
符号
V
RRM
V
R
I
F
价值
30
30
2.0
单位
V
V
A
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 吨
≤
5秒（注3）
结 - 环境 - 稳态分钟垫（注4 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
83
54
177
° C / W
单位
3.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹） 。
4.表面采用30毫米的最小推荐焊盘尺寸安装在FR4板
2
， 2盎司铜。
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
I
D
= 250
毫安，
裁判25℃
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
20
9.95
1.0
10
±100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
负阈值
温度COEF网络cient
漏极 - 源极导通电阻
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±8.0
V
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
0.4
0.7
2.44
1.0
V
毫伏/°C的
V
GS
= 4.5, I
D
= 2.0 A
V
GS
= 2.5, I
D
= 2.0 A
V
GS
= 1.8, I
D
= 1.6 A
75
101
150
3.1
100
135
200
mW
正向跨导
g
FS
V
DS
= -5.0 V，I
D
= 2.0 A
S
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
栅极电阻
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 5.0 V,
I
D
= -1.0 A，R
G
= 6.0
W
5.2
13.2
13.7
19.1
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
R
G
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V,
I
D
= 2.0 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 10 V
531
91
56
5.5
0.7
1.0
1.4
8.8
W
6.2
nC
pF
5.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
