NTLJF3117P
功率MOSFET和
肖特基二极管
-20 V， -4.1 A， P沟道，用2.0 A
肖特基势垒二极管， 2×2毫米，
mCool ]
包
特点
http://onsemi.com
MOSFET
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
最大
100毫瓦@ -4.5 V
20 V
135毫瓦@ -2.5 V
200毫瓦@ -1.8 V
4.1 A
I
D
最大
（注1 ）
FETKYt配置与MOSFET加上低VF肖特基二极管
mCoolt
包提供的暴露漏极焊盘优秀
热传导
2×2毫米的尺寸相同， SC -88封装设计
独立的引脚提供了电路设计的灵活性
薄型（ < 0.8mm）的，便于飞度薄环境
大电流肖特基二极管： 2 A电流额定值
这是一个Pb - Free设备
肖特基二极管
V
R
最大
30 V
V
F
典型值
0.47 V
I
F
最大
2.0 A
应用
优化便携式应用如手机，数码
相机，媒体播放器等。
DC-DC降压电路
锂离子电池应用
彩色显示器和相机闪光灯调节
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
功耗
（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
连续漏极
电流（注2 ）
功耗
（注2 ）
漏电流脉冲
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
t
p
= 10
ms
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
T
L
I
D
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
T
A
= 25°C
2.3
2.3
1.6
0.71
20
-55
150
1.9
260
W
A
°C
A
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
±8.0
3.3
2.4
4.1
1.5
W
单位
V
V
A
G
D
A
S
P沟道MOSFET
K
肖特基二极管
记号
图
1
WDFN6
CASE 506AN
1
6
2 JHMG 5
3
4
G
JH =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
引脚连接
K
1
2
D
D
3
4
S
6
5
工作结温和存储温度
源电流（体二极管） （注2 ）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
A
A
°C
N / C
K
G
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸
[ 1盎司]包括痕迹） 。
2.表面安装在FR4电路板使用推荐的最小焊盘尺寸
为30毫米
2
， 2盎司铜。
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订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第7页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年7月 - 第2版
出版订单号：
NTLJF3117P/D
NTLJF3117P
肖特基二极管的最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
反向重复峰值电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
符号
V
RRM
V
R
I
F
价值
30
30
2.0
单位
V
V
A
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 吨
≤
5秒（注3）
结 - 环境 - 稳态分钟垫（注4 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
83
54
177
° C / W
单位
3.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹） 。
4.表面采用30毫米的最小推荐焊盘尺寸安装在FR4板
2
， 2盎司铜。
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
I
D
= 250
毫安，
裁判25℃
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
20
9.95
1.0
10
±100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
负阈值
温度COEF网络cient
漏极 - 源极导通电阻
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±8.0
V
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
0.4
0.7
2.44
1.0
V
毫伏/°C的
V
GS
= 4.5, I
D
= 2.0 A
V
GS
= 2.5, I
D
= 2.0 A
V
GS
= 1.8, I
D
= 1.6 A
75
101
150
3.1
100
135
200
mW
正向跨导
g
FS
V
DS
= -5.0 V，I
D
= 2.0 A
S
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
栅极电阻
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 5.0 V,
I
D
= -1.0 A，R
G
= 6.0
W
5.2
13.2
13.7
19.1
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
R
G
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V,
I
D
= 2.0 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 10 V
531
91
56
5.5
0.7
1.0
1.4
8.8
W
6.2
nC
pF
5.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTLJF3117P
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 10 V,
I
D
= -2.0 A，R
G
= 2.0
W
5.5
15
19.8
21.6
ns
漏源二极管特性
正向恢复电压
V
SD
V
GS
= 0 V ， IS = -1.0
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.75
0.64
16.2
V
GS
= 0 V ，D
ISD
/d
t
= 100 A / MS ，
I
S
= 1.0 A
10.6
5.6
5.7
nC
ns
1.0
V
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复时间
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
5.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
肖特基二极管电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
正向电压
最大瞬时
反向电流
符号
V
F
I
R
测试条件
I
F
= 0.1 A
I
F
= 1.0 A
V
R
= 30 V
V
R
= 20 V
V
R
= 10 V
民
典型值
0.34
0.47
17
3.0
2.0
最大
0.39
0.53
20
8.0
4.5
mA
单位
V
肖特基二极管电气特性
(T
J
= 85 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
正向电压
最大瞬时
反向电流
符号
V
F
I
R
测试条件
I
F
= 0.1 A
I
F
= 1.0 A
V
R
= 30 V
V
R
= 20 V
V
R
= 10 V
民
典型值
0.22
0.40
0.22
0.11
0.06
最大
0.35
0.50
2.5
1.6
1.2
mA
单位
V
肖特基二极管电气特性
(T
J
= 125 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
正向电压
最大瞬时
反向电流
符号
V
F
I
R
测试条件
I
F
= 0.1 A
I
F
= 1.0 A
V
R
= 30 V
V
R
= 20 V
V
R
= 10 V
民
典型值
0.2
0.4
2.0
1.1
0.63
最大
0.29
0.47
20
10.9
8.4
mA
单位
V
肖特基二极管电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
电容
符号
C
测试条件
V
R
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
民
典型值
38
最大
单位
pF
7.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹） 。
8.表面安装在FR4板采用30毫米的最小推荐焊盘尺寸
2
， 2盎司铜。
9.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v2%.
10.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
3
NTLJF3117P
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
V
DS
= 0 V V
GS
= 0 V
C
国际空间站
T
J
= 25°C
-VGS ，栅极至源极电压（伏）
1200
1000
C，电容（pF ）
800
600
400
200
0
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
C
RSS
C
OSS
5
QT
4
20
-VDS ，漏极至源极电压（伏）
16
3
V
DS
Q
GS
Q
GD
V
GS
12
2
8
1
0
0
1
I
D
= 2.2 A
T
J
= 25°C
2
3
4
5
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
6
4
0
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
1000
I
s
，源电流（安培）
V
DD
= 15 V
I
D
= 2.2 A
V
GS
= 4.5 V
T， TIME （ NS ）
100
t
f
t
r
10
t
D（关闭）
t
D（上）
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
3
V
GS
= 0 V
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
1
1
10
R
G
，栅极电阻（欧姆）
100
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与电流
100
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
T
C
= 25°C
T
J
= 150°C
单脉冲
10
ms
100
ms
1毫秒
1
10毫秒
*见注2页1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
dc
10
0.1
0.01
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
