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CY62126EV30的MoBL
1兆位（ 64K ×16 ）静态RAM
特点
高速： 45纳秒
温度范围
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
- 汽车： -40 ° C至+ 125°C
宽电压范围： 2.2V - 3.6V
引脚与CY62126DV30兼容
超低待机功耗
- 典型待机电流： 1
A
- 最大待机电流： 4
A
超低有功功率
- 典型工作电流：2.1毫安， F = 1兆赫
易内存扩展CE和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
提供无铅48球VFBGA和44引脚TSOP II
套餐
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
降低了当地址不切换功率消耗。
将器件置于待机模式，降低功耗
取消选择时，由多于99 ％的消费（CE高电平） 。
的输入和输出引脚（IO
0
通过IO
15
）被放置在一个
当高阻抗状态：
取消（ CE HIGH ）
禁用输出（ OE高）
两个高字节使能和低字节使能禁用
（ BHE ， BLE高）
写操作处于活动状态（低CE和WE LOW ）
写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从IO引脚（ IO
0
通过IO
7
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
） 。如果字节高
使能（ BHE ）为低，然后从IO引脚上的数据（ IO
8
通过
IO
15
）被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
15
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。
如果字节低使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定位置上出现IO
0
到IO
7
。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据
出现在IO
8
到IO
15
。见
“真值表”第9页
一
读写模式，完整的描述。
功能说明
[1]
该CY62126EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为64K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
64K ×16
RAM阵列
检测放大器
IO
0
= 10
7
IO
8
= 10
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记
AN1064 ， SRAM系统的指导。
A
14
A
15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05486牧师* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年5月4日
[+ ]反馈
