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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第645页 > CY62126EV30LL-45BVXI
CY62126EV30的MoBL
1兆位（ 64K ×16 ）静态RAM
特点
■
■
高速： 45纳秒
温度范围
工业： -40 ° C至+85°C
汽车： -40°C至+125°C
宽电压范围： 2.2 V至3.6 V
引脚兼容CY62126DV30
超低待机功耗
典型待机电流： 1
A
最大待机电流： 4
A
超低有功功率
典型工作电流： 1.3毫安在f = 1 MHz的
易内存扩展CE和OE特点
取消的时候自动断电
互补金属氧化物半导体（CMOS）为
最佳速度和功率
提供无铅48球非常细间距球栅阵列（ VFBGA ）
和44引脚薄型小尺寸封装（ TSOP ）二包
■
■
■
先进的电路设计，提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
消费时地址不切换。配售
器件在待机模式下通过更降低了功耗
超过99 ％的取消时（ CE HIGH ） 。输入和
输出引脚（ I / O
0
通过I / O
15
）被置于高阻抗
当设备被取消（ CE HIGH）状态时，输出
禁用（ OE高） ，这两个高字节使能和低字节
启用已禁用（ BHE ， BLE HIGH）或写时
操作（ CE LOW和WE低）。
写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
） 。如果字节高
使能（ BHE ）为低，然后从I / O引脚（数据I / O
8
通过
I / O
15
）被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
15
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。如果
低字节使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定的位置上出现I / O的
0
到I / O
7
。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据
出现在I / O
8
到I / O
15
。见
“真值表”
第11页上的一
读写模式，完整的描述。
为了获得最佳的实践建议，请参阅赛普拉斯
应用说明
AN1064 ， SRAM系统的指导。
■
■
■
■
■
功能说明
该CY62126EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为64K字。该设备的特点
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
64K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05486牧师* H
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的二○一○年十二月一十七日
CY62126EV30的MoBL
目录
引脚配置................................................ ............. 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性................................................ 4
电容................................................. ..................... 5
热阻................................................ .......... 5
数据保持特性....................................... 6
开关特性................................................ 7
开关波形................................................ ...... 8
真值表................................................ ...................... 11
订购信息................................................ ......
订购代码定义.........................................
包图................................................ ..........
与缩略语................................................. .......................
文档历史记录页............................................... ..
销售，解决方案和法律信息......................
全球销售和设计支持.......................
产品................................................. ...................
的PSoC解决方案................................................ .........
12
12
13
14
15
16
16
16
16
文件编号： 38-05486牧师* H
第16页2
CY62126EV30的MoBL
引脚配置
图1. 48球VFBGA （顶视图）
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
NC
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
NC
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
cc
VSS
I / O
6
I / O
7
NC
图2. 44针TSOP II （顶视图）
[1]
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
表1.产品组合
功耗
产品
范围
民
CY62126EV30LL
产业
2.2
2.2
V
CC
范围（V ）
典型值
[2]
3.0
3.0
最大
3.6
3.6
45
55
速度
（纳秒）
工作，我
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
典型值
[2]
1.3
1.3
最大
2
4
f = f
最大
典型值
[2]
11
11
最大
16
35
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值
[2]
1
1
最大
4
30
CY62126EV30LL汽车
笔记
1. NC引脚没有连接上模具。
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
文件编号： 38-05486牧师* H
第16页3
CY62126EV30的MoBL
直流输入电压
[3, 4]
0.3
V到3.6 V（V
CCmax
+ 0.3 V)
输出电流转换成输出（ LOW ） .............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001年V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ...... > 200毫安
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的电池寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................ -65 ° C至+150°C
环境温度与
电源采用........................................... -55°C至+125°C
电源电压对地
潜在.............................. 0.3 V至3.6 V（V
CCmax
+ 0.3 V)
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[3, 4]
.............. 0.3 V至3.6 V（V
CCmax
+ 0.3 V)
工作范围
设备
CY62126EV30LL
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+85°C
V
CC
[5]
2.2 V至
3.6 V
汽车-40 ° C至+125°C
电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
V
CC
工作电源
当前
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安，V
CC
> 2.70V
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安，V
CC
> 2.70V
V
CC
= 2.2 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.2 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
输出漏电流接地< V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
45纳秒（工业）
民
2.0
2.4
–
–
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
–
–
典型值
[6]
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
11
1.3
1
最大
–
–
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+1
+1
16
2.0
4
55纳秒（汽车）
民
2.0
2.4
–
–
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–4
–4
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
11
1.3
1
典型值
[6]
–
–
最大
–
–
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+4
+4
35
4.0
35
A
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
自动CE电源CE > V
CC
0.2
V,
断电流-CMOS V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2 V, V
IN
< 0.2 V ）
输入
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， BHE ， BLE和WE ）
V
CC
= 3.60V
自动CE电源CE > V
CC
– 0.2 V,
断电流-CMOS V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2 V ，
输入
F = 0，V
CC
= 3.60V
I
SB2 [7]
–
1
4
–
1
30
A
笔记
3. V
IL （ MIN ）
= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
4. V
IH（ MAX）的
= V
CC
0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
5.全设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
cc
（分钟）和200
s
等待时间V后
cc
稳定。
6.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
7.芯片使能（CE ）需要被连接到CMOS电平，满足了我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
文件编号： 38-05486牧师* H
第16页4
CY62126EV30的MoBL
电容
对于所有的软件包。最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在4.25 × 1.125英寸，
2层印刷电路板
VFBGA
包
58.85
17.01
TSOP II
包
28.2
3.4
单位
° C / W
° C / W
图3. AC测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
相当于：戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
2.2 V - 2.7 V
16600
15400
8000
1.2
2.7 V - 3.6 V
1103
1554
645
1.75
单位
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
文件编号： 38-05486牧师* H
第16页5
CY62126EV30的MoBL
1兆位（ 64K ×16 ）静态RAM
特点
高速： 45纳秒
温度范围
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
- 汽车： -40 ° C至+ 125°C
宽电压范围： 2.2V - 3.6V
引脚与CY62126DV30兼容
超低待机功耗
- 典型待机电流： 1
A
- 最大待机电流： 4
A
超低有功功率
- 典型工作电流：2.1毫安， F = 1兆赫
易内存扩展CE和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
提供无铅48球VFBGA和44引脚TSOP II
套餐
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
降低了当地址不切换功率消耗。
将器件置于待机模式，降低功耗
取消选择时，由多于99 ％的消费（CE高电平） 。
的输入和输出引脚（IO
0
通过IO
15
）被放置在一个
当高阻抗状态：
取消（ CE HIGH ）
禁用输出（ OE高）
两个高字节使能和低字节使能禁用
（ BHE ， BLE高）
写操作处于活动状态（低CE和WE LOW ）
写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从IO引脚（ IO
0
通过IO
7
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
） 。如果字节高
使能（ BHE ）为低，然后从IO引脚上的数据（ IO
8
通过
IO
15
）被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
15
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。
如果字节低使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定位置上出现IO
0
到IO
7
。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据
出现在IO
8
到IO
15
。见
“真值表”第9页
一
读写模式，完整的描述。
功能说明
[1]
该CY62126EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为64K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
64K ×16
RAM阵列
检测放大器
IO
0
= 10
7
IO
8
= 10
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记
AN1064 ， SRAM系统的指导。
A
14
A
15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05486牧师* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年5月4日
[+ ]反馈
CY62126EV30的MoBL
销刀豆网络gurations
[2]
48球VFBGA
顶视图
1
BLE
IO
8
IO
9
V
SS
V
CC
IO
14
IO
15
NC
2
OE
BHE
IO
10
IO
11
IO
12
IO
13
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
NC
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
NC
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
IO
1
IO
3
IO
4
IO
5
WE
A
11
6
NC
IO
0
IO
2
V
CC
V
SS
IO
6
IO
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
IO
0
IO
1
IO
2
IO
3
V
CC
V
SS
IO
4
IO
5
IO
6
IO
7
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
NC
44引脚TSOP II
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
IO
15
IO
14
IO
13
IO
12
V
SS
V
CC
IO
11
IO
10
IO
9
IO
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
产品组合
功耗
产品
范围
民
CY62126EV30LL工业
CY62126EV30LL汽车
2.2
2.2
V
CC
范围（V ）
典型值
[1]
3.0
3.0
最大
3.6
3.6
45
55
速度
（纳秒）
工作，我
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
典型值
[1]
1.3
1.3
最大
2
4
f = f
最大
典型值
[1]
11
11
最大
16
35
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值
[1]
1
1
最大
4
30
笔记
2. NC引脚未连接的芯片。
3.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05486牧师* D
第12页2
[+ ]反馈
CY62126EV30的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的电池寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在.................................- 0.3V至3.6V （V
CCmax
+ 0.3V)
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4, 5]
.................- 0.3V至3.6V （V
CCmax
+ 0.3V)
直流输入电压
[4, 5]
...............0.3V
至3.6V （V
CCmax
+ 0.3V)
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ..... > 200毫安
工作范围
设备
CY62126EV30LL
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
[6]
2.2V至
3.6V
汽车-40 ° C至+ 125°C
电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
测试条件
45纳秒（工业）
民
2.0
2.4
0.4
0.4
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
11
1.3
1
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+1
+1
16
2.0
4
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–4
–4
11
1.3
1
典型值
[1]
最大
55纳秒（汽车）
民
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+4
+4
35
4.0
35
A
典型值
[1]
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
输出高电压I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安，V
CC
> 2.70V
输出低电压
输入高电压
输入低
电压
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安，V
CC
> 2.70V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出
残
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
V
CC
经营供应F = F
最大
= 1/t
RC
当前
F = 1 MHz的
自动电源CE认证
断电流
-CMOS输入
I
SB1
CE > V
CC
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ）
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， BHE ， BLE和WE ）
V
CC
= 3.60V
CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.60V
I
SB2 [7]
自动电源CE认证
断电流
-CMOS输入
1
4
1
30
A
电容
对于所有的软件包。最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
笔记
4. V
IL （ MIN ）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6.全部设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
cc
（分钟）和200
s
等待时间V后
cc
稳定。
7.只有芯片使能（CE）和字节使能（BHE和BLE）需要被连接到CMOS电平，满足了我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
文件编号： 38-05486牧师* D
第12页3
[+ ]反馈
CY62126EV30的MoBL
热阻
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在4.25 X 1.125英寸，
2层印刷电路板
VFBGA
包
58.85
17.01
TSOP II
包
28.2
3.4
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
图1. AC测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
相当于：戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
2.2V - 2.7V
16600
15400
8000
1.2
2.7V - 3.6V
1103
1554
645
1.75
单位
欧
欧
欧
伏
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR[7]
t
CDR[8]
t
R[9]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= V
DR
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
产业
汽车
0
t
RC
条件
民
1.5
3
30
典型值
[1]
最大
单位
V
A
A
ns
ns
数据保存波形
图2.数据保存波形
V
CC（分钟）
t
CDR
CE
笔记
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
9.完整的AC设备的操作需要线性的V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
数据保持方式
V
DR
> 1.5V
V
CC
V
CC（分钟）
t
R
文件编号： 38-05486牧师* D
第12页4
[+ ]反馈
CY62126EV30的MoBL
开关特性
在整个工作范围
[10, 11]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[14]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
BHE / BLE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[12, 13]
WE高到低Z
[12]
10
45
35
35
0
0
35
35
25
0
18
10
55
40
40
0
0
40
40
25
0
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[12]
OE高到高Z
[12, 13]
描述
45纳秒（工业）
民
45
45
10
45
22
5
18
10
18
0
45
22
5
18
最大
55纳秒（汽车）
民
55
55
10
55
25
5
20
10
20
0
55
25
5
20
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CE低到低Z
[12]
CE高到高阻
[12, 13]
CE低到通电
CE高到掉电
BHE / BLE低到数据有效
BHE / BLE低到低Z
[12]
BHE / BLE高到高阻
[12, 13]
笔记
10.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC （典型值）
的，和输出负载
指定I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
11. AC时序参数如有字节使能信号（ BHE和BLE ）时，芯片被禁止不是交换。看
应用笔记AN13842
为进一步澄清。
12.在任何温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何设备。
13. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
14.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE ， BLE或两者= V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何的
这些信号可以通过将非活动结束写入。数据输入建立和保持时间必须参考信号终止写的边缘。
文件编号： 38-05486牧师* D
第12页5
[+ ]反馈
的MoBL
,CY62126EV30
1兆位（ 64K ×16 ）静态RAM
特点
■
■
功能说明
该CY62126EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为64K字
[1]
。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
消费时地址不切换。配售
器件在待机模式下通过更降低了功耗
超过99 ％的取消时（ CE HIGH ） 。输入和
输出引脚（ IO
0
通过IO
15
）被置于高阻抗
状态时：
■
■
■
■
高速： 45纳秒
温度范围
工业： -40 ° C至+ 85°C
汽车： -40 ° C至+ 125°C
宽电压范围： 2.2V至3.6V
引脚兼容CY62126DV30
超低待机功耗
典型待机电流： 1
μA
最大待机电流： 4
μA
超低有功功率
典型工作电流： 1.3毫安在f = 1 MHz的
易内存扩展CE和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
提供无铅48球VFBGA和44引脚TSOP II
套餐
■
■
■
■
取消选择（ CE HIGH ）
禁用输出（ OE高）
这两个高字节使能和低字节使能禁用
（ BHE ， BLE高）
写操作有效（ CE低和WE LOW ）
■
■
■
■
写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从IO引脚（ IO
0
通过IO
7
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
） 。如果字节高
使能（ BHE ）为低，然后从IO引脚上的数据（ IO
8
通过IO
15
)
被写入的地址管脚的指定位置（一
0
至A
15
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。如果
低字节使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定位置上出现IO
0
到IO
7
。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据
出现在IO
8
到IO
15
。见
“真值表”
第9页上的一
读写模式，完整的描述。
逻辑框图
记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记
AN1064 ， SRAM系统的指导。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05486牧师* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年1月5日
[+ ]反馈
的MoBL
， CY62126EV30
销刀豆网络gurations
图1. 44球VFBGA （顶视图）
图2. 44针TSOP II （顶视图）
[2]
表1.产品组合
功耗
产品
范围
民
CY62126EV30LL工业
CY62126EV30LL汽车
2.2
2.2
V
CC
范围（V ）
典型值
[3]
3.0
3.0
最大
3.6
3.6
45
55
速度
（纳秒）
工作，我
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
典型值
[3]
1.3
1.3
最大
2
4
f = f
最大
典型值
[3]
11
11
最大
16
35
待机情况下，我
SB2
(μA)
典型值
[3]
1
1
最大
4
30
笔记
2. NC引脚未连接的芯片。
3.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05486牧师* E
分页： 13 2
[+ ]反馈
的MoBL
， CY62126EV30
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的电池寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地
潜在................................. -0.3V至3.6V （V
CCmax
+ 0.3V)
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4, 5]
................ -0.3V至3.6V （V
CCmax
+ 0.3V)
直流输入电压
[4, 5]
...............0.3V
至3.6V （V
CCmax
+ 0.3V)
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ..... > 200毫安
工作范围
设备
CY62126EV30LL
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
[6]
2.2V至
3.6V
汽车-40 ° C至+ 125°C
电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
测试条件
45纳秒（工业）
民
2.0
2.4
0.4
0.4
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
11
1.3
1
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+1
+1
16
2.0
4
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–4
–4
11
1.3
1
典型值
[1]
最大
55纳秒（汽车）
民
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+4
+4
35
4.0
35
μA
典型值
[1]
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
μA
μA
mA
输出高电压I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安，V
CC
> 2.70V
输出低电压
输入高电压
输入低
电压
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安，V
CC
> 2.70V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出
残
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
V
CC
经营供应F = F
最大
= 1/t
RC
当前
F = 1 MHz的
自动电源CE认证
断电流
-CMOS输入
I
SB1
CE > V
CC
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ）
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， BHE ， BLE和WE ）
V
CC
= 3.60V
CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.60V
I
SB2 [7]
自动电源CE认证
断电流
-CMOS输入
1
4
1
30
μA
电容
对于所有的软件包。最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
笔记
4. V
IL （ MIN ）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6.全部设备交流操作假定100
μs
从0减速时间到V
cc
（分钟）和200
μs
等待时间V后
cc
稳定。
7.只有芯片使能（CE）和字节使能（BHE和BLE）需要被连接到CMOS电平，满足了我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
文件编号： 38-05486牧师* E
第13 3
[+ ]反馈
的MoBL
， CY62126EV30
热阻
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
图3. AC测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
测试条件
静止的空气中，焊接在4.25 X 1.125英寸，
2层印刷电路板
VFBGA
包
58.85
17.01
TSOP II
包
28.2
3.4
单位
° C / W
° C / W
相当于：戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
2.2V - 2.7V
16600
15400
8000
1.2
2.7V - 3.6V
1103
1554
645
1.75
单位
欧
欧
欧
伏
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR[7]
t
CDR[8]
t
R[9]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
图4.数据保存波形
V
CC（分钟）
t
CDR
CE
数据保持方式
V
DR
> 1.5V
条件
V
CC
= V
DR
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
产业
汽车
民
1.5
典型值
[1]
最大
3
30
单位
V
μA
μA
ns
ns
0
t
RC
V
CC
V
CC（分钟）
t
R
笔记
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
9.完整的AC设备的操作需要线性的V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
μs.
文件编号： 38-05486牧师* E
第13 4
[+ ]反馈
的MoBL
， CY62126EV30
开关特性
在整个工作范围
[10, 11]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
[14]
描述
45纳秒（工业）
民
45
45
10
45
22
5
18
10
18
0
45
22
5
18
45
35
35
0
0
35
35
25
0
18
10
最大
55纳秒（汽车）
民
55
55
10
55
25
5
20
10
20
0
55
25
5
20
55
40
40
0
0
40
40
25
0
20
10
最大
单位
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[12]
OE高到高Z
[12, 13]
CE低到低Z
[12]
CE高到高阻
[12, 13]
CE低到通电
CE高到掉电
BHE / BLE低到数据有效
BHE / BLE低到低Z
[12]
BHE / BLE高到高阻
[12, 13]
写周期时间
CE低到写结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
BHE / BLE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[12, 13]
WE高到低Z
[12]
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
10.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC （典型值）
的，和输出负载
指定I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
11. AC时序参数如有字节使能信号（ BHE和BLE ）时，芯片被禁止不是交换。看
应用笔记AN13842
为进一步澄清。
12.在任何温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何设备。
13. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
14.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE ， BLE或两者= V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何的
这些信号可以通过将非活动结束写入。数据输入建立和保持时间必须参考信号终止写的边缘。
文件编号： 38-05486牧师* E
第13个5
[+ ]反馈
CY62126EV30的MoBL
1兆位（ 64千× 16 ）静态RAM
1兆位（ 64千× 16 ）静态RAM
特点
■
■
功能说明
该CY62126EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为64K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
消费时地址不切换。配售
器件在待机模式下通过更降低了功耗
超过99 ％的取消时（ CE HIGH ） 。输入和
输出引脚（ I / O
0
通过I / O
15
）被置于高阻抗
当设备被取消（ CE HIGH）状态时，输出
禁用（ OE高） ，这两个高字节使能和低字节
启用已禁用（ BHE ， BLE HIGH）或写时
操作（ CE LOW和WE低）。
写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
） 。如果字节高
使能（ BHE ）为低，然后从I / O引脚（数据I / O
8
通过
I / O
15
）被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
15
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。如果
低字节使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定的位置上出现I / O的
0
到I / O
7
。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据
出现在I / O
8
到I / O
15
。见
第11页上的真值表
一
读写模式，完整的描述。
高速： 45纳秒
温度范围
工业： -40 ° C至+85°C
汽车： -40°C至+125°C
宽电压范围： 2.2 V至3.6 V
引脚兼容CY62126DV30
超低待机功耗
典型待机电流： 1
A
最大待机电流： 4
A
超低有功功率
典型工作电流： 1.3毫安在f = 1 MHz的
易内存扩展CE和OE特点
取消的时候自动断电
互补金属氧化物半导体（CMOS）为
最佳速度和功率
提供无铅48球非常细间距球栅阵列
（ VFBGA ）和44引脚薄型小尺寸封装（ TSOP ） II
套餐
■
■
■
■
■
■
■
■
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
64K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05486牧师* I
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年5月31日
[+ ]反馈
CY62126EV30的MoBL
目录
引脚配置................................................ ............. 3
产品组合................................................ .............. 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性................................................ 0.4
电容................................................. ..................... 5
热阻................................................ .......... 5
数据保持特性....................................... 6
开关特性................................................ 7
开关波形................................................ ...... 8
读周期第1号（地址转换控制） ...... 8
读周期2号（ OE控制） ............................... 8
写周期号1 （我们控制） ............................... 9
写周期号2 （ CE控制） ............................... 9
写周期第3号（我们控制， OE低............. 10
写周期NO 。 4
（ BHE / BLE控制， OE低） ....................................... 10
真值表................................................ ...................... 11
订购信息................................................ ...... 12
订购代码定义......................................... 12
包图................................................ .......... 13
与缩略语................................................. ....................... 15
文档约定................................................ 0.15
计量单位............................................... ........ 15
文档历史记录页............................................... ..16
销售，解决方案和法律信息...................... 18
全球销售和设计支持....................... 18
产品................................................. ................... 18
的PSoC解决方案................................................ ......... 18
文件编号： 38-05486牧师* I
第18页2
[+ ]反馈
CY62126EV30的MoBL
引脚配置
图1. 48球VFBGA （顶视图）
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
NC
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
NC
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
cc
VSS
I / O
6
I / O
7
NC
图2. 44针TSOP II （顶视图）
[1]
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
产品组合
功耗
产品
范围
民
CY62126EV30LL
产业
2.2
2.2
CY62126EV30LL汽车
V
CC
范围（V ）
典型值
[2]
3.0
3.0
最大
3.6
3.6
45
55
速度
（纳秒）
工作，我
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
典型值
[2]
1.3
1.3
最大
2
4
f = f
最大
典型值
[2]
11
11
最大
16
35
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值
[2]
1
1
最大
4
30
笔记
1. NC引脚没有连接上模具。
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
文件编号： 38-05486牧师* I
第18页3
[+ ]反馈
CY62126EV30的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的电池寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................ -65 ° C至+150°C
环境温度与
电源采用.......................................... -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在.............................- 0.3 V至3.6 V（V
CCmax
+ 0.3 V)
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[3, 4]
..............- 0.3 V至3.6 V（V
CCmax
+ 0.3 V)
直流输入电压
[3, 4]
0.3
V到3.6 V（V
CCmax
+ 0.3 V)
输出电流转换成输出（ LOW ） .............................. 20毫安
静电放电电压......................................... > 2001年V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ..... > 200毫安
工作范围
设备
CY62126EV30LL
范围
产业
环境
温度
V
CC
[5]
-40 ° C至+85°C 2.2 V至3.6 V
汽车-40 ° C至+125°C
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1[7]
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安，V
CC
> 2.70 V
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安， V
CC
> 2.70 V
V
CC
= 2.2 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.2 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏电流接地< V
O
＆ LT ; V
CC
，输出
残
V
CC
工作电源
当前
自动电源CE认证
断电流-CMOS
输入
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
F = 1 MHz的
CMOS电平
CE > V
CC
0.2
V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2 V, V
IN
< 0.2 V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， BHE ， BLE和WE ）
V
CC
= 3.60 V
CE > V
CC
– 0.2 V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2 V ，
F = 0，V
CC
= 3.60 V
45纳秒（工业）
最小值典型值
[6]
2.0
2.4
–
–
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
11
1.3
1
最大
–
–
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+1
+1
16
2.0
4
55纳秒（汽车）
最小值典型值
[6]
2.0
2.4
–
–
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–4
–4
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
11
1.3
1
–
–
最大
–
–
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+4
+4
35
4.0
35
A
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB2 [7]
自动电源CE认证
断电流-CMOS
输入
–
1
4
–
1
30
A
笔记
3. V
IL （ MIN ）
= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
4. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
5.全设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
cc
（分钟）和200
s
等待时间V后
cc
稳定。
6.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
7.芯片使能（CE ）需要被连接到CMOS电平，满足了我
SB1
/ I
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
文件编号： 38-05486牧师* I
第18页4
[+ ]反馈
CY62126EV30的MoBL
电容
参数
[8]
描述
C
IN
输入电容
C
OUT
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
参数
[8]
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在4.25 × 1.125英寸，
2层印刷电路板
48球VFBGA 44引脚TSOP II组
包
包
58.85
28.2
° C / W
17.01
3.4
° C / W
图3. AC测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
相当于：戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.2 V–2.7 V
16600
15400
8000
1.2
2.7 V–3.6 V
1103
1554
645
1.75
单位
V
记
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05486牧师* I
第18页5
[+ ]反馈
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