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K9F1208U0C
K9F1208R0C K9F1208B0C
NAND闪存技术说明
（续）
擦除流程图
开始
写60H
写块地址
写D0H
读状态寄存器
FL灰内存
阅读流程图
开始
写00H
写地址
读数据
ECC代
I / O 6 = 1 ？
或R / B = 1 ？
是的
No
I / O 0 = 0 ？
是的
删除完成
No
收回错误
No
ECC校验
是的
页面读取完成
*
擦除错误
*
：如果在错误擦除操作的结果，绘制出
发生故障的块，并与另一个块代替它。
替换块
1st
(n-1)th
第n
（页）
{
{
A座
2
发生错误。
缓冲存储器控制器。
B座
1
1st
(n-1)th
第n
（页）
*第一步。擦除或编程操作过程中阻止'A'的第n个页面时发生错误。
*第二步。在缓冲存储器复制块“A”的第n页的数据到另一个空闲块的第n个页面。 （块'B' ）
*第三步。然后， （ n-1个）个页中的第一的数据复制到该块“B”的相同的位置。
*步骤4 。不要再擦除块'A'通过创建一个“无效块”表或其他适当的方式。
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