位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第14页 > K9F1208B0C-P > K9F1208B0C-P PDF资料 > K9F1208B0C-P PDF资料1第11页
K9F1208U0C
K9F1208R0C K9F1208B0C
有效的块
参数
有效的块数
符号
N
VB
民
4,026
典型值。
-
FL灰内存
最大
4,096
单位
块
记
:
1. K9F1208X0C可能包括无效块时，先发货。附加的无效块可以发展而被使用。有效块的数目
呈现视为无效块的两种情况。无效块被定义为包含一个或多个损坏位元区块。不要删除或
计划工厂标记为坏块。参考附件技术说明中的无效块的适当的管理。
2. 1号地块，这是摆在00H块地址，保证是一个有效的数据块到1K编程/擦除周期，位/ 512字节的ECC 。
3.最低1004块有效，保证每个连续的128MB显存空间。
AC测试条件
（ K9F1208X0C - XCB0 ： TA = 0 70 ° C， K9F1208X0C - XIB0 ： TA = -40至85° C） 。
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
价值
K9F1208R0C
0V至V
CC
5ns
V
CC
/2
K9F1208B0C
0V至Vcc
5ns
Vcc/2
K9F1208U0C
0.4V至2.4V
5ns
1.5V
1 TTL门和
CL=100pF
1 TTL门和CL = 50pF的
K9F1208R0C ：输出负载（VCC ： 1.8V +/- 10 ％ ）
K9F1208B0C ：输出负载（VCC ： 2.7V +/- 10 ％ ）， 1 TTL门和CL = 30pF的1 TTL门和CL = 30pF的
K9F1208U0C ：输出负载（VCC ： 3.3V +/- 10 ％ ）
K9F1208U0C ：输出负载（VCC ： 3.0V +/- 10 ％ ）
-
-
电容
（ TA = 25℃ ， VCC = 1.8V / 2.7V / 3.3V ， F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
IL
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
10
10
单位
pF
pF
记
：电容周期性采样，而不是100 ％测试。
模式选择
CLE
H
L
H
L
L
L
L
X
X
X
X
ALE
L
H
L
H
L
L
L
X
X
X
(1)
X
CE
L
L
L
L
L
L
L
X
X
X
H
H
H
X
X
X
X
H
X
X
X
X
WE
RE
H
H
H
H
H
WP
X
X
H
H
H
X
X
H
H
L
数据输入
数据输出
在读（忙）
在项目（忙）
在擦除（忙）
写保护
写模式
读取模式
模式
命令输入
地址输入（ 4个时钟）
命令输入
地址输入（ 4个时钟）
0V/V
CC
(2)
待用
记
1. X可以是V
IL
或V
IH 。
2. WP应该偏向于CMOS的高或低的CMOS备用。
11
