CY62126DV30的MoBL
1兆位（ 64K ×16 ）静态RAM
特点
??非常高的速度
= 55 ns的
温度范围
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车： -40°C至125°C
=宽电压范围
— 2.2V - 3.6V
与CY62126BV 引脚兼容
超低有功功率
- 典型工作电流为0.85毫安F = 1兆赫
- 典型的有源电流5mA @频率= F
最大
（ 55纳秒的速度）
超低待机功耗
易于内存扩展CE和OE特点
自动断电时取消
提供无铅和无无铅48球VFBGA和
44引脚TSOP II型封装
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
功耗降低90％时的地址不
切换。该装置可被置于待机模式减少
由99％以上的取消选择时的功耗（CE
HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）置于
在高阻抗状态时：取消选择（ CE HIGH ）
输出被禁止（ OE为高电平） ，这两个高字节使能和
低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH）或在
写操作（ LOW CE和WE低）。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
15
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
功能说明
[1]
该CY62126DV30是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为64K字。该设备的特点
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
64K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
12
A
11
A
13
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A
14
A
15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05230牧师* H
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年7月18日
[+ ]反馈
