CY62126DV30的MoBL
开关特性
（在整个工作范围内）
[10]
CY62126DV30-55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[13]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[11, 12]
WE高到低Z
[11]
10
55
40
40
0
0
40
40
25
0
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[11]
OE高到高Z
[11, 12]
CE低到低Z
[11]
CE高到高阻
[11, 12]
CE为低电时
CE高到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[11]
BLE / BHE高来高-Z
[11, 12]
5
20
0
55
25
10
20
5
20
10
55
25
55
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
10.测试条件假设1V / ns以下的信号过渡时间，定时V的基准水平
CC （典型值）。
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
的，和输出负载
指定I
OL
.
11.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
.
12. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
13.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何
这些信号可以终止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止信号的边缘
写。
文件编号： 38-05230牧师* H
第12页5
[+ ]反馈
