初步
硬件RECALL （上电）
上电时，或在任何低功耗状态（V
CC
＆ LT ;
V
开关
），内部RECALL请求将被锁存。当
V
CC
再次超过V的检测电压
开关
, a
RECALL周期将自动启动，并会采取
t
HRECALL
来完成。
CY14B256K
和不写周期的序列中被使用。它不是
必要的操作环境是低的顺序是有效的。后
经t
商店
周期已经完成，该SRAM将再次
被激活的读取和写入操作。
软件RECALL
数据可从非易失性存储器传送到
SRAM通过软件地址序列。软件RECALL
周期开始与读取操作的顺序
以类似于软件商店引发。要启动
RECALL周期，CE的下列顺序读取控制
操作必须被执行：
1.阅读地址0x0E38 ，有效的读
2.读地址0x31C7 ，有效的读
3.阅读地址0x03E0 ，有效的读
4.阅读地址0x3C1F ，有效的读
5.读地址0x303F ，有效的读
6.读地址0x0C63 ，启动RECALL周期
在内部，召回是一个两步的过程。首先，对SRAM
数据被清除，且第二，非易失性信息是
转移到SRAM单元。之后的T
召回
周期
该SRAM将再次准备好读取和写入
绝不operations.The RECALL操作改变的数据
非易失性元素。
软件商店
数据可以从SRAM被转移到非易失性
存储器由一个软件地址序列。该CY14B256K
软件商店周期由执行顺序CE启动
从六个具体地址位置控制的读周期
确切顺序。在STORE周期以前的擦除
首先，进行非易失性数据，随后的一个节目
非易失性元素。一旦一条STORE周期开始，
进一步的输入和输出被禁止，直到循环
完成。
由于序列读取来自特定地址是
用于商店开始，重要的是，没有其它READ
或写访问干预的顺序，或
序列将被中止，并没有存储或调用会
的地方。
要启动的软件商店周期，下面读
序列必须执行：
1.阅读地址0x0E38 ，有效的读
2.读地址0x31C7 ，有效的读
3.阅读地址0x03E0 ，有效的读
4.阅读地址0x3C1F ，有效的读
5.读地址0x303F ，有效的读
6.读地址0x0FC0 ，启动STORE周期
该软件程序的时钟可以与CE控制
读或OE控制的读取。一旦在第六地址
序列已被输入时， STORE周期将开始
与芯片将被禁用。读取周期是非常重要的
表1.模式选择
CE
H
L
L
L
WE
X
H
L
H
OE
X
L
X
L
A13–A0
X
X
X
0x0E38
0x31C7
0x03E0
0x3C1F
0x303F
0x0FC0
0x0E38
0x31C7
0x03E0
0x3C1F
0x303F
0x0C63
数据保护
该CY14B256K保护数据从损坏中低
电压条件下抑制所有外部发起STORE
和写入操作。当检测到低电压状态
当V
CC
＆ LT ; V
开关
。如果CY14B256K处于写模式
（包括CE和WE低）在上电时，召回后，或在
一个店，写操作将被禁止，直到负
检测CE或WE过渡。这可以防止
在上电和掉电条件下无意中写道。
模式
未选择
读SRAM
写入SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性商店
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性召回
IO
输出高Z
输出数据
输入数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
I
CC2
[1, 2, 3]
L
H
L
活跃
[1, 2, 3]
注意事项：
1.六个连续的地址位置必须是在顺序listed.WE必须为高电平期间，所有6个周期，以使非易失性周期。
2.虽然对所述CY14B256K 15条地址线，只有较低的14行被用于控制软件模式。
3. IO状态取决于OE的状态。所示的投入产出表是基于OE低。
文件编号： 001-06431修订版* E
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