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初步
在存储操作的完成
CY14B104L / CY14B104N仍然禁止，直到HSB引脚
返回高电平。离开HSB无关，如果不使用。
CY14B104L/CY14B104N
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x8FC0启动STORE周期
该软件程序的时钟可以与CE控制
读或OE控制的读取。一旦在第六地址
序列已被输入时， STORE循环开始
与芯片将被禁用。读取周期是非常重要的
和不写周期的序列中被使用，虽然这是
没有必要使OE为低电平的顺序是有效的。
的T后
商店
周期已经满足，将SRAM
再次被激活，读取和写入操作。
硬件RECALL （上电）
在上电期间或之后的任何低功率条件
(V
CC
＆ LT ; V
开关
），内部RECALL请求将被锁存。
当V
CC
再次超过V的检测电压
开关
,
召回周期将自动启动，并采取
t
HRECALL
来完成。
软件商店
从SRAM中的数据传输到非易失性存储器以
一个软件地址序列。该CY14B104L / CY14B104N
软件商店周期由执行顺序启动
从六个具体的地址位置CE控制的读周期
按正确的顺序。在商店周期的擦除
首先执行先前的非易失性数据，接着是
非易失性元素的节目。一旦STORE周期
发起进一步的输入和输出被禁止，直到循环
完成。
由于序列读取来自特定地址是
用于商店开始，重要的是，没有其它READ
或写访问干预的顺序。如果有
中间的读或写访问，顺序将
中止，并没有存储或调用发生。
要启动的软件商店周期，下面读
序列必须执行：
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
软件RECALL
从非易失性存储器传送数据到SRAM
由一个软件地址序列。软件RECALL周期
与读操作的方式顺序启动
类似的软件商店开始。要启动
RECALL周期，CE的下列顺序读取控制
操作必须被执行：
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x4C63启动RECALL周期
在内部，召回是一个两步的过程。首先，对SRAM
数据被清零，第二，非易失性信息是
转移到SRAM单元。之后的T
召回
周期
该SRAM将再次准备好读取和写入
操作。此次召回的操作不会改变数据
非易失性元素。
文件编号： 001-07102修订版* E
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