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初步
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... .... 0V到3V
输入上升和下降时间（ 10 ％ - 90 ％ ） ....................... <5 NS
输入和输出时序参考电平1.5V ....................
CY14B104L/CY14B104N
AC开关特性
参数
柏
参数
t
ACE
t
RC[8]
t
AA[9]
t
美国能源部
t
OHA
t
LZCE
[10]
[10]
15ns
描述
民
最大
25ns
民
最大
45ns
分钟。
马克斯。
单位
Alt键。
参数
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
-
-
-
t
WC
t
WP
t
CW
t
DW
t
DH
t
AW
t
AS
t
WR
t
WZ
t
OW
-
SRAM读周期
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
字节Enale到数据有效
字节使能输出活跃
字节禁用输出无效
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址设置为写操作结束
地址设置到开始写
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
字节使能，以结束写的
3
15
15
10
15
5
0
15
0
0
7
3
20
0
7
25
20
20
10
0
20
0
0
10
3
30
0
15
10
0
10
45
30
30
15
0
30
0
0
15
0
7
0
25
12
0
22
3
3
7
0
10
0
45
22
15
15
10
3
3
10
0
15
15
25
25
12
3
3
15
25
45
45
20
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
HZCE
t
LZOE[10]
t
HZOE[10]
t
PU[7]
t
PD[7]
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
WC
t
PWE
t
SCE
t
SD
t
HD
t
AW
t
SA
t
HA
t
HZWE[10,11]
t
LZWE[10]
t
BW
SRAM写周期
笔记
8.我们必须为高电平期间SRAM读周期。
9.设备不断选择CE和OE均为低。
10.测量± 200 mV的自稳态输出电压。
11.如果我们是低时， CE为低电平，输出保持在高阻抗状态。
文件编号： 001-07102修订版* E
第10页21
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