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初步
表1.模式选择
CE
H
L
L
L
WE
X
H
L
H
OE
X
L
X
L
A15 – A0
X
X
X
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x8B45
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x4B46
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x8FC0
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x4C63
模式
未选择
读SRAM
写入SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
自动存储
关闭
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
自动存储
启用
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性
商店
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性
召回
IO
CY14B101L
动力
待机
活跃
活跃
活跃
[1, 2, 3]
输出高阻
输出数据
输入数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高阻
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高阻
L
H
L
活跃
[1, 2, 3]
L
H
L
我主动
CC2[1, 2, 3]
L
H
L
活跃
[1, 2, 3]
笔记
1.六个连续的地址位置必须是在列出的顺序。我们必须为高电平期间所有六个周期，使非易失性周期。
2.虽然对所述CY14B101L 17条地址线，只有较低的16条线路被用于控制软件模式。
3. IO状态取决于OE的状态。所示的投入产出表是基于OE低。
文件编号： 001-06400修订版* E
第18页5
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