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文档标题： CY14B101L 1兆位（ 128K ×8 ）的nvSRAM
文档编号： 001-06400
启示录
**
*A
*B
ECN号
425138
437321
471966
问题
日期
见ECN
见ECN
见ECN
原稿。的
变化
TUP
TUP
TUP
新的数据表
外部网站上的显示数据表
变化的说明
CY14B101L
改变了我
CC3
5 mA至10毫安
改变ISB从2 mA至3毫安
改变了V
IH（分钟）
2.2V至2.0V
改变的吨
召回
从40
s
50
s
改变从耐久性100万次到50万圈
改变数据保留在百年至20年
加入软序列处理时间波形
更新了部分编号命名和订购信息
改变从高级初步
换了术语“无限”到“无限”
改变耐力从500K到循环周期200K
加入温度规格为数据保留 - 20岁，在55°C
去除电流Icc
1
从DC表值25纳秒和35纳秒的工业级
改变的电流Icc
2
值3 mA至6毫安直流表
增加了对V的注脚
IH
改变了V
开关（分钟）
从2.55V到2.45V
添加脚注17与使用软件命令
更新了部分术语表和订货信息表
去掉V
开关（分钟）
从自动存储/上电RECALL规格表
改变的吨
GLAX
从20 ns至1纳秒规格
加入叔
DELAY （最大值）
70规格
s
在五金店周期表
除去吨
HLBL
规范
改变的吨
SS
规格表70
s
（分） 70
s
（最大）
改变了V
帽（最大值）
从57
F
120
F
添加脚注与HSB
改变的吨
GLAX
给T
GHAX
*C
503272
见ECN
PCI
*D
597002
见ECN
TUP
*E
688776
见ECN
VKN
文件编号： 001-06400修订版* E
第18页18
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