CS5308
应用信息
概观
安森美半导体的CS5308型DC / DC控制器
使用增强的V开发
2
拓扑结构，以满足
低电压的要求，大电流负载的快速
瞬态要求。增强的V
2
结合原有的
V
2
拓扑结构的峰值电流模式控制实现快速
瞬态响应和电流传感能力。该
除了内部的PWM斜坡和实施
快速反馈直接从V
CORE
改善瞬态
响应和简化设计。该CS5308包括VTT
监控， VTT
PGD
， PWRGD和MOSFET栅极驱动器
提供一个“完全集成的解决方案”，以简化设计，
最大限度地减少电路板面积，并降低整体系统成本。
两个优点的多相变换器的过
单相转换器是电流分配和增加的
明显的输出频率。均流允许设计师
使用较少的电感在每相中比将需
在一个单相变换器。较小的电感会
产生较大的纹波电流，但每相供电的总
耗散被降低，因为电流有效值较低。
瞬态响应得到改善，因为控制环路将
测量和调整电流更快地在更小的输出
电感器。明显增加输出频率是可取的
因为关断时间和两相的脉动电压
转换器将小于该单相变换器。
固定频率的多相位控制
在一个多相变换器中，多个转换器
并联连接，并接通在不同的时间。
这降低了输出电流从各个转换器
并增加了明显的脉动频率。因为几个
变换器并联连接，输出电流可以斜
向上或向下的速度比单个转换器（具有相同的
值输出电感器）和热散布在多个
组件。
的CS5308控制器采用两相，固定频率，
增强的V
2
建筑，测量及控制电流
各个阶段。各相位延迟从180°
前一个阶段。通常情况下，门（H）跃迁到高
电压在每个振荡器周期的开始。感应器
电流持续上升，直到电流检测相结合
信号，内部斜坡和输出电压纹波旅
PWM比较器和带GATE （H）低。一旦
门（H）变为低电平时，它保持低电平直到开头
下一个振荡周期。而门（ H）为高电平时，
增强的V
2
循环将响应线路和负载变化。
另一方面，一旦门（ H）为低时，回路不能
响应，直到下一个PWM周期的开始。
因此，恒定频率增强V
2
通常会
该转换器的关断时间内响应干扰。
增强型V
2
建筑测量并调整
输出电流中的每个阶段。额外的输入信号（CSn ），用于
电感器电流信息已被加入到V-
2
环
对于每个阶段，如图9，三角形电感
电流R两端测量差异
S
，扩增
CSA和总结的通道启动胶印机，
内部斜坡，且输出电压的非反相
PWM比较器的输入端。内部的目的
斜面是为了补偿传播延迟
CS5308 。这提供了更大的设计灵活性，
允许更小的外部坡道，降低最小脉冲
宽度，更高的工作频率和PWM的占空比
50％以上没有外部斜率补偿。作为
电感电流和内部斜坡上升和，
在PWM比较器的正端子的电压上升
并终止该PWM周期。如果电感器启动周期
具有较高的电流，在PWM周期将终止较早
提供负反馈。该CS5308提供了一个CSn电
输入的每个阶段，但CS
REF
和COMP输入是
共同所有阶段。均流是通过完成
参照各阶段在同一CS
REF
和COMP引脚，
使具有较大的电流信号的相位将关闭较早
比具有更小的电流信号的相位。
http://onsemi.com
11
