SM5073系列
SM5073C×S
V
DD
= 3.0 3.6V ，V
C
= 1.65V, V
SS
= 0V ，钽= -40+ 85 ℃，除非另有说明。
等级
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
输出漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
符号
V
OH
V
OL
I
Z
V
IH
V
IL
条件
民
问：测量电路1 ，我
OH
= 6毫安
问：测量电路1 ，我
OL
= 6毫安
问：测量电路6 ，
INHN = LOW
INHN
INHN
SM5073C1S
消耗电流
I
DD
测电路2，负载
电路1 ， INHN =开，
C
L
= 15pF的，
F = 30MHz的
测量电路3
设计值。晶片上的监视器模式
测试。
测量电路4
设计值。晶片上的监视器模式
测试。
设计值。监视器
一个晶片上的图案进行测试。
V
C
= 0.3V
V
C
= 3.0V
SM5073C2S
SM5073C3S
SM5073C4S到6S
INHN上拉电阻
R
UP
R
f
R
D
内置的电阻
R
B1
R
B2
V
OH
= V
DD
V
OL
= V
SS
2.5
–
–
–
0.7V
DD
–
–
–
–
–
50
150
0.50
100
50
11.0
2.3
25.5
设计值。晶片上的监视器模式
测试。
25.5
29.7
典型值
2.75
0.2
–
–
–
–
10
9
8.5
8
100
300
0.72
200
100
14.6
4.0
30
30
35
最大
–
0.4
10
10
–
0.3V
DD
28
27
26.5
26
180
540
0.94
360
180
18.2
5.7
34.5
34.5
40.3
V
V
A
A
V
V
mA
mA
mA
mA
k
k
k
k
k
pF
pF
pF
pF
pF
单位
C
V
内置电容
C
G
C
D
C
C
精工NPC株式会社-7
