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SM5073系列
用VCXO的集成电路内置于变容
概观
的SM5073系列是具有内置的变容二极管的VCXO的IC。他们使用最近开发的负电阻
tance开关振荡电路,在振荡启动和正常的振荡过程中,为良好的振荡器
化的启动特性和广泛的pullrange 。此外,它采用了CMOS工艺变容二极管,并且
还设有所有的单个芯片上进行必要的VCXO的结构的电路元件,形成具有仅仅一个VCXO
外部晶振的连接。
特点
I
I
包装尺寸
(单位:毫米)
I
I
I
I
I
I
I
I
I
3.0至3.6V电源电压范围
10MHz至60MHz工作频率
(不同版本)
使用负电阻切换功能
变容二极管内置
分频器内置(与版本变化:F
O
,
f
O
/2, f
O
/4, f
O
/8, f
O
/16, f
O
/32)
CMOS输出电平
50 ± 10 %输出占空比
6毫安(分钟)输出驱动能力
15pF的输出负载电容C
L
待机功能
在待机模式下的高阻抗
(振荡器继续运行)
封装:8引脚SOP ( SM5073
××
S)
0.15
+ 0.1
0.05
4.4 0.2
6.2 0.3
0.695typ
5.2 0.3
0.05 0.05
1.5
0.1
1.27
0.4 0.2
应用
I
I
I
I
0.10
0.4 0.1
0.12
M
0-10
VCXO模块
通信应用
网络应用程序
广播应用
系列一览
VERSION
SM5073A
×
S
SM5073B×S
SM5073C×S
SM5073D×S
SM5073E×S
SM5073F×S
典型的振荡
频率
1
[兆赫]
16
23
30
37
44
51
f
O
f
O
/2
f
O
/4
f
O
/8
f
O
/16
f
O
/32
输出频率
SM5073×1S
SM5073×2S
2
SM5073
×
3S
2
SM5073
×
4S
2
SM5073
×
5S
2
SM5073
×
6S
2
1.典型的振荡频率是振荡频率的标准用途选择器件版本时。注意,该振荡
特征和pullability随所用的晶体和安装条件。即使对于相同的频率,最优版本可以变化
水晶的特性,所以仔细的评估应选择设备的版本时,可以行使。
2.这些版本都收到采购订单后生产。请问我们的销售进行更详细&市场营销部分。
订购信息
设备
SM5073
××
S
8引脚SOP
精工NPC株式会社-1
SM5073系列
引脚
( TOP VIEW )
XTN
VC
INHN
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
XT
VDD
NC
Q
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
XTN
VC
INHN
VSS
Q
NC
VDD
XT
I / O
O
I
I
O
I
描述
扩增fi er输出引脚
振荡频率控制
电压输入引脚
输出状态控制电压
输入引脚
(
)电源引脚
输出引脚
无连接
( + )电源引脚
扩增fi er输入引脚
晶体连接引脚。
水晶连接XT和XTN之间。
由内部电路至f中的一个输出频率确定
O
, f
O
/2,
f
O
/4, f
O
/8, f
O
/16, f
O
/32
功能
晶体连接引脚。
水晶连接XT和XTN之间。
正极性(随电压的频率增加)
高阻抗输出低电平时,上拉电阻内置
精工NPC株式会社-2
SM5073系列
框图
R
f
C
G
1/2
1/2
1/2
1/2
1/2
XT
R
D
C
V
C
C
C
D
Q
XTN
R
B
1
VDD
R
B
2
VC
R
UP
VSS
INHN
注。 XT引脚的ESD不如其他引脚。
所有引脚不包括XT引脚的ESD等同于我们的其他振荡器产品。
VC引脚没有保护电路在V
DD
侧。 (请参见下面的连接gure 。 )
VC
内部电路
SEIKO NPC公司-3
SM5073系列
绝对最大额定值
V
SS
= 0V ,除非另有说明。
参数
电源电压范围
输入电压范围
输出电压范围
工作温度范围
存储温度范围
输出电流
功耗
1.它不应超过+ 7.0V 。
符号
V
DD
所有的输入引脚不包括VC针
V
IN
V
OUT
T
OPR
T
英镑
I
OUT
P
D
VC针
条件
等级
为0.5 7.0
0.5 V
DD
+ 0.5
0.5 V
DD
+ 2.5
1
0.5 V
DD
+ 0.5
40 85
55 125
20
500
单位
V
V
V
V
°
C
°
C
mA
mW
推荐工作条件
V
SS
= 0V , F = 10MHz至60MHz ,C
L
15pF的,除非另有说明。
等级
参数
工作电源电压
输入电压
工作温度
符号
V
DD
V
IN
T
OPR
条件
3.0
V
SS
–40
典型值
最大
3.6
V
DD
+85
V
V
°
C
单位
精工NPC株式会社-4
SM5073系列
电气特性
SM5073A
×
S
V
DD
= 3.0 3.6V ,V
C
= 1.65V, V
SS
= 0V , TA = -40 + 85
°
C,除非另有说明。
等级
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
输出漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
符号
V
OH
V
OL
I
Z
V
IH
V
IL
条件
问:测量电路1 ,我
OH
= 6毫安
问:测量电路1 ,我
OL
= 6毫安
问:测量电路6 ,
INHN = LOW
INHN
INHN
SM5073A1S
消耗电流
I
DD
测电路2,负载
电路1 , INHN =开,
C
L
= 15pF的,
F = 16MHz时
测量电路3
设计值。晶片上的监视器模式
测试。
测量电路4
设计值。晶片上的监视器模式
测试。
设计值。监视器
一个晶片上的图案进行测试。
V
C
= 0.3V
V
C
= 3.0V
SM5073A2S
SM5073A3S
SM5073A4S到6S
INHN上拉电阻
R
UP
R
f
R
D
内置的电阻
R
B1
R
B2
V
OH
= V
DD
V
OL
= V
SS
2.5
0.7V
DD
50
150
0.67
100
50
11.0
2.4
25.5
设计值。晶片上的监视器模式
测试。
34
8.5
典型值
2.75
0.2
8
7.5
7
7
100
300
0.96
200
100
14.4
4.0
30
40
10
最大
0.4
10
10
0.3V
DD
23
22.5
22
22
180
540
1.25
360
180
17.8
5.6
34.5
46
11.5
V
V
A
A
V
V
mA
mA
mA
mA
k
k
k
k
k
pF
pF
pF
pF
pF
单位
C
V
内置电容
C
G
C
D
C
C
精工NPC株式会社-5
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