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莱迪思半导体公司
架构
的LatticeECP / EC系列数据手册
操作模式
每片能够四种操作模式：逻辑，纹波， RAM和ROM 。在PFF片能够
所有模式，除了RAM 。表2-2列出了模式和切片块的能力。
表2-2 。片模式
逻辑
PFU片
PFF片
LUT 4×2或LUT 5X1
LUT 4×2或LUT 5X1
纹波
2位运算单元
2位运算单元
内存
SPR16x2
不适用
只读存储器
ROM16x1 ×2
ROM16x1 ×2
逻辑模式：
在这种模式下，在每个切片中的LUT可以CON组fi gured作为4输入的组合的查找表。一个LUT4
可以有16个可能的输入组合。带四个输入的任何逻辑功能可以通过编程这个生成
查找表。由于每个切片2 LUT4s ，一个LUT5可以在一个切片来构造。更大的查找
表，如LUT6 ， LUT7和LUT8可以通过连接其它的片构成。
纹波模式：
纹波模式使英法fi cient实现小算术函数。在脉动模式下，跟着
具有以下功能可以由每个切片来实现：
另外2位
减法2位
添加/使用动态控制减去2位
截至计数器2位
减计数器2位
纹波模式乘数积木
A和B输入端的比较器功能
- 一个大于或等于到B
- 一个不等于对B
- 一个小于或等于对乙
纹波模式包括一个可选的CON组fi guration ，使用快速进位链的方法进行运算。在这
CON组fi guration （也称为CCU2模式）两个附加信号，进位产生和进位传播，是
每片基础上产生的，以便快速运算功能，通过连接片构成。
RAM模式：
在这种模式下，分布式RAM可以使用每个LUT的块作为16X1位存储器构成。
通过LUT和切片的组合，各种不同的存储器可以被构造。
莱迪思设计工具支持创建各种不同大小的回忆。在适当情况下，该软
洁具将建设代表了PFU的能力，这些采用分布式内存的原语。表2-3
示以实现不同的分布式RAM基元所需要的片数。图2-5显示了解散
布式存储原始的框图。双端口存储器包括两片，一片职能配对
作为读 - 写端口。其他同伴Slice支持只读端口。有关如何使用的详细信息
中的LatticeECP / EC设备的RAM ，请参见本数据表的末尾技术文档的列表。
表2-3 。片所需的数量实现分布式RAM
SPR16x2
片数
1
DPR16x2
2
注： SPR =单端口RAM ， DPR =双端口RAM
2-5
