MC33035 ， NCV33035
D
21
G
M
20
值SenseFET
S
K
19
V
CC
= 12 V
9
15
100毫伏
16
GND
R
S
电源接地：
要输入源返回
R
@
I
@
R
S PK
DS （ ON）
V 9
[
针
r
)
R
DM （上）
S
如： SENSEFET = MPT10N10M
R
S
= 200
Ω,
1/4 W
然后： V
9针
≈
0.75 I
pk
8
6
R
5
S
2
1
0.001
MC1555
18 k
Q
3
4
7
升压电压（V）
V
M
+ 12
V
M
+ 8.0
V
M
+ 4.0
0
40
20
60
BOOST电流（mA）
*
V
BOOST
1.0/200 V
1N5352A
* = MUR115
*
22
控制电路接地端（引脚16 ）和电流检测反相输入端（引脚15 ）
必须在单独的路径返回到中央输入源地。
几乎无损耗电流检测可以执行来实现
SENSEFET电源开关。
V
M
= 170 V
该电路产生V
BOOST
为图25 。
图29.电流检测功率MOSFET
图30.高压升压电源
REF
8
REF
8
R
1
7
V
A
V
B
R
1
R
3
R
4
R
2
12
13
PWM
11
EA
25
μA
增加
速度
R
2
C
启用
25
μA
7
11
EA
12
13
PWM
V
引脚13
+
V
A R
)
R
1
2
R3
)
R4
R2
R3
*
R4
V
R3 B
电阻R
1
与电容C设定的加速时间不变，而
2
控制减速。 R的值
1
和R
2
至少应为10
比速度设定电位倍，以尽量减少时间常数
变化用不同的速度设置。
图31.差分输入速度控制器
图32.控制的加速/减速
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