MC33035 ， NCV33035
驱动器输出
这三个顶部驱动输出（引脚1 ， 2 ， 24 ）是开放的
集热器可以吸收50毫安与NPN晶体管
30五，接口为更高的最小击穿
电压的应用是很容易实现的电路
在图24和25所示。
这三个图腾柱底部驱动输出（引脚19 ， 20 ，
21 ）特别适用于N沟道的直接驱动
MOSFET或NPN双极型晶体管（图26 ，27，28
和29 ） 。每路输出可源出和吸收起来
为100 mA。电源底部驱动器从V提供
C
（引脚18 ） 。这个单独的电源输入允许设计者
在剪裁的驱动电压增加了灵活性，自主
V的
CC
。齐纳二极管钳位应连接到该输入
在系统中，其中V驱动功率MOSFET时，
CC
is
大于20 V ，以防止MOSFET的破裂
城门。
控制电路接地（引脚16 ）和电流检测
反相输入端（引脚15 ）必须在不同的路径的回归
中央输入源地。
热关断
内部热关断电路提供保护
该IC在事件的最大结温为
超标。当被激活时，通常是在170℃下，在IC充当
虽然输出使能接地。
14
4
5
6
R
DLY
3
24
22
24
负载
14
2
2
POS
DEC
转子
位置
解码器
1
V
CC
Q
1
Q
2
Q
3
V
M
1
V
M
17
18
REF
UVLO
RESET
8
C
DLY
7
25
μA
21
21
20
20
Q
4
19
t
[
R
C
In
- （我能
)
REF
IL
DLY
V启用 - （启用
)
th
IL
DLY
6.25 - （ 20 ×10 -6 - [R
DLY
C
DLY
In
)
DLY
1.4 - （ 20 ×10 -6 - [R
)
DLY
晶体管Q
1
用于从V电平移位一个共同的基台
CC
对
高电机电压，V
M
。如果V集电极二极管需要
CC
存在
而V
M
是低的。
V
DLY
DLY
DLY
[
R
图23.定时延迟锁定
过流关断
图24.高电压接口，具有
NPN功率晶体管
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