麦克雷尔INC 。
MIC22600
此处的另一种方法示出为V的一个例子
DDQ
＆放大器; V
TT
解决方案的DDR显存供电。记
这POR取自VO1为POR
2
不会高。
这是因为POR被设置为高时， FB > 0.9V
REF
。在
本实施例中， FB
2
is regulated to ½V
REF
.
电流限制
该MIC22600具有防过载两
阶段。首先是要限制在P型沟道的电流
开关;二是过温关断。
电流，通过测量电流通过有限
其动力冲程中高边MOSFET和
立即关闭驱动程序时预设的限制
被超过。
该电路在图4中描述的操作
电流限制电路。因为实际的RDS
ON
在P-的
沟道MOSFET不同部件到部件，过温
并与输入电压，简单的IR电压检测不
聘用。相反，权力较小副本
MOSFET（场效应管参考）被馈以恒流
这是一个正比于工厂设定电流
极限。此设置电流限制为流动比率和
因此，不依赖于所述的RDS
ON
值。当前
限制设置为9A标称。在刻度系数K的变化
电源PFET和参考PFET使用之间
以产生限阈帐户对于相对
小的误差。
图4.电流限制详细
散热注意事项
该MIC22600封装在多边基金
采用4mm x 4mm ，一
封装，具有出色的散热性能
相当于是较大的TSSOP封装。这
最大限度地从结到裸露的传热
焊盘（ EPAD ），其连接到所述接地平面。该
附着到暴露的焊盘的接地平面的尺寸
确定从总热阻
结点到环境空气包围印刷电路
板。结温度为给定环境
温度可以用下式计算：
T
J
= T
AMB
+ P
DISS
· R
θ
JA
哪里
P
DISS
多边基金内的功率耗散
包，并且通常在1.5W 6A负载。这
已经计算了1μH电感和
细节可以在以下表1为找到
参考。
2007年9月
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M9999-092007-A
