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初步
集成
电路
系统公司
ICS8422004I
F
EMTO
C
锁
LVCMOS / C
RYSTAL
-
TO
-
LVHSTL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
50mA
100mA
70 ℃/ W（ 0 MPS ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
输出，我
O
连续电流
浪涌电流
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDA
V
DDO
I
DD
I
DDA
I
DDO
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
输出电源电流
空载
测试条件
最低
3.135
3.135
1.6
典型
3.3
3.3
1.8
90
10
0
最大
3.465
3.465
2.0
单位
V
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
3B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 2.5V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDA
V
DDO
I
DD
I
DDA
I
DDO
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
输出电源电流
空载
测试条件
最低
2.375
2.375
1.6
典型
2.5
2.5
1.8
80
10
0
最大
2.625
2.625
2.0
单位
V
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
3C 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V±5%
OR
2.5V±5%, V
DDO
= 1.8V±0.2V,
T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
参数
输入高电压
输入
低电压
输入
HIGH CURRENT
输入
低电流
TEST_CLK ， MR，
F_SEL0 ， F_SEL1 ，
nPLL_SEL ， nXTAL_SEL
TEST_CLK ， MR，
F_SEL0 ， F_SEL1 ，
nPLL_SEL ， nXTAL_SEL
测试条件
V
DD
= 3.3V
V
DD
= 2.5V
V
DD
= 3.3V
V
DD
= 2.5V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
或2.5V
V
DD
= 3.465V或2.5V ，
V
IN
= 0V
-150
最小典型
2
1.7
-0.3
-0.3
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.8
0.7
150
单位
V
V
V
V
A
I
IL
8422004AGI
A
www.icst.com/products/hiperclocks.html
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REV 。 B 2005年11月14日
