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互联网数据表
HYS72D[64/128/256]xxxHBR–[5/6]–C
录得双数据速率SDRAM模块
1.2
描述
SDRAM的时序。各种去耦电容是
安装在PC板上。该功能的DIMM串行
出现检测基于串行é
2
使用PROM设备
2针I
2
C协议。前128个字节包含工厂
编程的配置数据和第二128字节
被提供给顾客。
该HYS72D [ 64/128/256 ] xxxHBR- [ 5/6 ] -C都是低调
标准注册DIMM模块1.1-版本
寸（ 28.58毫米）和1.2英寸（ 30.40毫米）高度为服务器
应用程序。低调DIMM版本可作为
64M
×72
（ 512MB ） ， 128M
×72
（ 1 GB ） ，以及256M
×72
（ 2 GB ） 。
存储器阵列的设计与双数据率
同步DRAM的ECC应用。所有的控制和
DIMM使用寄存器上的地址信号被重新驱动
设备和PLL的时钟分配。这将减少
电容性负载到系统总线，但增加了一个周期来
表2
订购信息
产品类型
1)
PC3200 （CL = 3）的
HYS72D64301HBR–5–C
HYS72D128300HBR–5–C
HYS72D128321HBR–5–C
HYS72D256320HBR–5–C
PC2700 （CL = 2.5）
HYS72D64301HBR–6–C
HYS72D128300HBR–6–C
HYS72D128900HBR–6–C
HYS72D128321HBR–6–C
HYS72D256320HBR–6–C
HYS72D256920HBR–6–C
PC2700R–25331–A0
PC2700R–25331–C0
PC2700R–25331–C0
PC2700R–25331–B0
PC2700R–25331–F0
PC2700R–25331–F0
一个等级512兆字节的寄存器。 ECC DIMM
1级1 GB的注册。 ECC DIMM
1级1 GB的注册。 ECC DIMM
两个职级1 GB的注册。 ECC DIMM
两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM
两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM
512兆位（ × 8 ）
512兆位（ ×4）的
512兆位（ ×4）的
512兆位（ × 8 ）
512兆位（ ×4）的
512兆位（ ×4）的
PC3200R–30331–A0
PC3200R–30331–C0
PC3200R–30331–B0
PC3200R–30331–F0
一个等级512兆字节的寄存器。 ECC DIMM
1级1 GB的注册。 ECC DIMM
两个职级1 GB的注册。 ECC DIMM
两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM
512兆位（ × 8 ）
512兆位（ ×4）的
512兆位（ × 8 ）
512兆位（ ×4）的
合规守则
2)
描述
SDRAM技术
1 ）所有的产品类型与结束的地方代码指定的硅芯片版本。可应要求提供参考信息。例如：
HYS72D256320HBR -5-C ，表示Rev.C模具被用于SDRAM的组件。
2）符合代码打印在所述模块的标签和描述了速度的排序（例如，“ PC2700R ” ），则等待时间（例如
“ 25331 ”是指中国科学院2.5时钟延迟，行，列延时（ RCD ）的3个时钟周期的延迟和行的3个时钟预充电延迟） ， SPD
代码定义的版本1，原始卡用于该模块。
表3
地址格式
密度
512 MB
1 GB
1 GB
2 GB
组织
64M
×72
128M
×72
128M
×72
256M
×72
内存
秩
1
1
2
2
SDRAM的
64M
×8
128M
×4
64M
×8
128M
×4
排名第
SDRAM的
9
18
18
36
＃行/银行/
列位
13/2/11
13/2/12
13/2/11
13/2/12
刷新
8K
8K
8K
8K
期
64毫秒
64毫秒
64毫秒
64毫秒
间隔
7.8毫秒
7.8毫秒
7.8毫秒
7.8毫秒
牧师1.22 ， 2007-08
03292006-6N25-8R3I
4
