【2007年8月 S7 2D 64 301H B R- [5/ 6] - C S7 2D 12 】,IC型号HYS72D128300HBR-5-C,HYS72D128300HBR-5-C PDF资料,HYS72D128300HBR-5-C经销商,ic,电子元器件-51电子网

2007年8月

S7 2D 64 301H B R- [5/ 6] - C

S7 2D 12 8300 BR- [5/ 6] - C

S7 2D 12 8321 BR- [5/ 6] - C

HYS72D256x20HBR–[5/6]–C

1 8 4 - P R中egistered ouble - D ATA - R的吃了SD RAMM odule

RDIMM

DDR SDRAM

符合RoHS

互联网数据表

修订版1.22

互联网数据表

HYS72D[64/128/256]xxxHBR–[5/6]–C

录得双数据速率SDRAM模块

HYS72D64301HBR- [ 5/6 ] -C ， HYS72D128300HBR- [ 5/6 ] -C ， HYS72D128321HBR- [ 5/6 ] -C ， HYS72D256x20HBR- [ 5/6 ] -C

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页面

所有

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改编网络版

表更新

更新奇梦达

科目（自上次调整的重大变化）

加入产品类型PC2700R

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03292006-6N25-8R3I

互联网数据表

HYS72D[64/128/256]xxxHBR–[5/6]–C

录得双数据速率SDRAM模块

1.1

概观

特点

184引脚注册的8字节双列直插式DDR SDRAM模块适用于PC ，工作站和服务器主内存的应用

一个等级64M

×72,

128M

×72

组织，两列256M

×72

组织

标准双数据速率同步DRAM （ DDR SDRAM ），用一个单一的+ 2.5 V （ ± 0.2 V）电源和2.6

（ ± 0.1 V）的DDR400电源

内置的DDR SDRAM芯片的FBGA封装60

可编程CAS延迟，突发长度和换行序列（序列&交错）

自动刷新（ CBR）和自刷新

RAS-锁定支持

RAP

RCD

所有输入和输出SSTL_2兼容

重新驱动器使用的寄存器和PLL器件所有输入信号。

串行存在检测为E

舞会

薄型模块外形尺寸： 133.35毫米

28.58 mm (1.1”)

4.00毫米和133.35毫米

30.48 mm (1.2”)

标准参考卡的布局原卡A， B，C和F

镀金触点

RoHS标准的产品

表1

性能

产品型号代码的运行速度

速度等级

马克斯。时钟频率

部件

模块

@CL3

@CL2.5

@CL2

–5

DDR400B

PC3200–3033

–6

DDR333B

PC2700–2533

166

133

单位

—

兆赫

CK3

CK2.5

CK2

200

166

133

1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义

在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，

铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。

牧师1.22 ， 2007-08

03292006-6N25-8R3I

互联网数据表

HYS72D[64/128/256]xxxHBR–[5/6]–C

录得双数据速率SDRAM模块

1.2

描述

SDRAM的时序。各种去耦电容是

安装在PC板上。该功能的DIMM串行

出现检测基于串行é

使用PROM设备

2针I

C协议。前128个字节包含工厂

编程的配置数据和第二128字节

被提供给顾客。

该HYS72D [ 64/128/256 ] xxxHBR- [ 5/6 ] -C都是低调

标准注册DIMM模块1.1-版本

寸（ 28.58毫米）和1.2英寸（ 30.40毫米）高度为服务器

应用程序。低调DIMM版本可作为

64M

×72

（ 512MB ）， 128M

×72

（ 1 GB ），以及256M

×72

（ 2 GB ）。

存储器阵列的设计与双数据率

同步DRAM的ECC应用。所有的控制和

DIMM使用寄存器上的地址信号被重新驱动

设备和PLL的时钟分配。这将减少

电容性负载到系统总线，但增加了一个周期来

表2

订购信息

产品类型

PC3200 （CL = 3）的

HYS72D64301HBR–5–C

HYS72D128300HBR–5–C

HYS72D128321HBR–5–C

HYS72D256320HBR–5–C

PC2700 （CL = 2.5）

HYS72D64301HBR–6–C

HYS72D128300HBR–6–C

HYS72D128900HBR–6–C

HYS72D128321HBR–6–C

HYS72D256320HBR–6–C

HYS72D256920HBR–6–C

PC2700R–25331–A0

PC2700R–25331–C0

PC2700R–25331–B0

PC2700R–25331–F0

一个等级512兆字节的寄存器。 ECC DIMM

1级1 GB的注册。 ECC DIMM

两个职级1 GB的注册。 ECC DIMM

两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

PC3200R–30331–A0

PC3200R–30331–C0

PC3200R–30331–B0

PC3200R–30331–F0

一个等级512兆字节的寄存器。 ECC DIMM

1级1 GB的注册。 ECC DIMM

两个职级1 GB的注册。 ECC DIMM

两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

合规守则

描述

SDRAM技术

1 ）所有的产品类型与结束的地方代码指定的硅芯片版本。可应要求提供参考信息。例如：

HYS72D256320HBR -5-C ，表示Rev.C模具被用于SDRAM的组件。

2）符合代码打印在所述模块的标签和描述了速度的排序（例如，“ PC2700R ” ），则等待时间（例如

“ 25331 ”是指中国科学院2.5时钟延迟，行，列延时（ RCD ）的3个时钟周期的延迟和行的3个时钟预充电延迟）， SPD

代码定义的版本1，原始卡用于该模块。

表3

地址格式

密度

512 MB

1 GB

2 GB

组织

64M

×72

128M

×72

128M

×72

256M

×72

内存

秩

SDRAM的

64M

×8

128M

×4

64M

×8

128M

×4

排名第

SDRAM的

＃行/银行/

列位

13/2/11

13/2/12

13/2/11

13/2/12

刷新

期

64毫秒

间隔

7.8毫秒

牧师1.22 ， 2007-08

03292006-6N25-8R3I

互联网数据表

HYS72D[64/128/256]xxxHBR–[5/6]–C

录得双数据速率SDRAM模块

引脚配置

已注册的DDR SDRAM DIMM的引脚配置中列出的功能

表4

（ 184针）。所用的缩写

列引脚和缓冲器类型的解释

表5

和

表6

分别。管脚号在描绘

第1章。

表4

RDIMM的引脚配置

针

137

138

111

名字

针

TYPE

卜FF器

TYPE

SSTL

–

SSTL

LV-

CMOS

功能

针

125

122

141

118

115

名字

A10

A11

A12

针

TYPE

卜FF器

TYPE

SSTL

功能

地址总线11：0

时钟信号

CK0

CKE0

CKE1

157

158

154

RAS

CAS

RESET

时钟信号

补钟

时钟使能等级0

时钟使能等级1

注： 2级模块

注： 1级模块

序号为0的片选

等级1的片选

注： 2 -行列模块

注： 1级模块

行地址选通

列地址选通

写使能

寄存器复位

力量投入注册

低

注：有关详细沙漠

的cription

电和

动力

管理见

应用程序

注意在年底

数据表

银行地址总线1 ： 0

地址总线11：0

控制信号的

地址信号12

注意：模块的基础上

256 MB或更大

模具

注： 128 Mbit的基础

模块

地址信号13

注： 1基于千兆

模块

注意：模块的基础上

512 MB或更小

模具

数据总线63：0

167

A13

–

SSTL

–

数据信号

105

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

DQ8

DQ9

DQ10

DQ11

DQ12

I / O

SSTL

地址信号

130

BA0

BA1

SSTL

牧师1.22 ， 2007-08

03292006-6N25-8R3I

2006年8月

S7 2D 64 301H B R- [5/ 6] - C

HYS72D128x00HBR–[5/6]–C

S7 2D 12 8321 BR- [5/ 6] - C

HYS72D256x20HBR–[5/6]–C

1 8 4 - P R中egistered ouble - D ATA - R的吃了SD RAMM odule

RDIMM

DDR SDRAM

符合RoHS

互联网数据表

修订版1.21

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HYS72D[64/128/256]xxxHBR–[5/6]–C

录得双数据速率SDRAM模块

HYS72D64301HBR- [ 5/6 ] -C ， HYS72D128x00HBR- [ 5/6 ] -C ， HYS72D128321HBR- [ 5/6 ] -C ， HYS72D256x20HBR- [ 5/6 ] -C

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更新奇梦达

改编

因特网

版

科目（自上次调整的重大变化）

加入产品类型PC2700R

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上一个版本： 2005-12 ，牧师1.1

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HYS72D[64/128/256]xxxHBR–[5/6]–C

录得双数据速率SDRAM模块

1.1

概观

特点

184引脚注册的8字节双列直插式DDR SDRAM模块适用于PC ，工作站和服务器主内存的应用

一个等级64M

×72,

128M

×72

组织，两列256M

×72

组织

标准双数据速率同步DRAM （ DDR SDRAM ），用一个单一的+ 2.5 V （ ± 0.2 V）电源和2.6

（ ± 0.1 V）的DDR400电源

内置的DDR SDRAM芯片的FBGA封装60

可编程CAS延迟，突发长度和换行序列（序列&交错）

自动刷新（ CBR）和自刷新

RAS-锁定支持

RAP

RCD

所有输入和输出SSTL_2兼容

重新驱动器使用的寄存器和PLL器件所有输入信号。

串行存在检测为E

舞会

薄型模块外形尺寸： 133.35毫米

28.58 mm (1.1”)

4.00毫米和133.35毫米

30.48 mm (1.2”)

标准参考卡的布局原卡A， B，C和F

镀金触点

RoHS标准的产品

表1

性能

产品型号代码的运行速度

速度等级

马克斯。时钟频率

部件

模块

@CL3

@CL2.5

@CL2

–5

DDR400B

PC3200–3033

–6

DDR333B

PC2700–2533

166

133

单位

—

兆赫

CK3

CK2.5

CK2

200

166

133

1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义

在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，

铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。

牧师1.21 ， 2006-08

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互联网数据表

HYS72D[64/128/256]xxxHBR–[5/6]–C

录得双数据速率SDRAM模块

1.2

描述

SDRAM的时序。各种去耦电容是

安装在PC板上。该功能的DIMM串行

出现检测基于串行é

使用PROM设备

2针I

C协议。前128个字节包含工厂

编程的配置数据和第二128字节

被提供给顾客。

该HYS72D [ 64/128/256 ] xxxHBR- [ 5/6 ] -C都是低调

标准注册DIMM模块1.1-版本

寸（ 28.58毫米）和1.2英寸（ 30.40毫米）高度为服务器

应用程序。低调DIMM版本可作为

64M

×72,

128M

×72

（ 1 GB ），以及256M

×72

（ 2 GB ）。该

存储器阵列的设计与双倍数据速率

同步DRAM的ECC应用。所有的控制和

DIMM使用寄存器上的地址信号被重新驱动

设备和PLL的时钟分配。这将减少

电容性负载到系统总线，但增加了一个周期来

表2

订购信息

产品类型

PC3200 （CL = 3）的

HYS72D64301HBR–5–C

HYS72D128300HBR–5–C

HYS72D128321HBR–5–C

HYS72D256320HBR–5–C

PC2700 （CL = 2.5）

HYS72D64301HBR–6–C

HYS72D128300HBR–6–C

HYS72D128900HBR–6–C

HYS72D128321HBR–6–C

HYS72D256320HBR–6–C

HYS72D256920HBR–6–C

PC2700R–25331–A0

PC2700R–25331–C0

PC2700R–25331–B0

PC2700R–25331–F0

一个等级512兆字节的寄存器。 ECC DIMM

1级1 GB的注册。 ECC DIMM

两个职级1 GB的注册。 ECC DIMM

两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

PC3200R–30331–A0

PC3200R–30331–C0

PC3200R–30331–B0

PC3200R–30331–F0

一个等级512兆字节的寄存器。 ECC DIMM

1级1 GB的注册。 ECC DIMM

两个职级1 GB的注册。 ECC DIMM

两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

512兆位（ × 8 ）

512兆位（ ×4）的

合规守则

描述

SDRAM技术

1 ）所有的产品类型与结束的地方代码指定的硅芯片版本。可应要求提供参考信息。例如：

HYS72D256320HBR -5-C ，表示Rev.C模具被用于SDRAM的组件。

2）符合代码打印在所述模块的标签和描述了速度的排序（例如，“ PC2700R ” ），则等待时间（例如

“ 25331 ”是指中国科学院2.5时钟延迟，行，列延时（ RCD ）的3个时钟周期的延迟和行的3个时钟预充电延迟）， SPD

代码定义的版本1，原始卡用于该模块。

表3

地址格式

密度

512 MB

1 GB

2 GB

组织

64M

×72

128M

×72

128M

×72

256M

×72

内存

秩

SDRAM的

64M

×8

128M

×4

64M

×8

128M

×4

排名第

SDRAM的

＃行/银行/

列位

13/2/12

13/2/11

13/2/12

刷新

期

64毫秒

间隔

7.8毫秒

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HYS72D[64/128/256]xxxHBR–[5/6]–C

录得双数据速率SDRAM模块

引脚配置

已注册的DDR SDRAM DIMM的引脚配置中列出的功能

表4

（ 184针）。所用的缩写

列引脚和缓冲器类型的解释

表5

和

表6

分别。管脚号在描绘

第1章。

表4

RDIMM的引脚配置

针

137

138

111

名字

针

TYPE

卜FF器

TYPE

SSTL

–

SSTL

LV-

CMOS

SSTL

地址总线11：0

功能

针

125

122

141

118

115

名字

A10

A11

A12

针

TYPE

卜FF器

TYPE

SSTL

功能

地址总线11：0

时钟信号

CK0

CKE0

CKE1

157

158

154

RAS

CAS

RESET

时钟信号

补钟

时钟使能等级0

时钟使能等级1

2级模块

注： 1级模块

序号为0的片选

等级1的片选

注： 2 -行列模块

注： 1级模块

行地址选通

列地址选通

写使能

寄存器复位

控制信号的

地址信号12

注意：模块的基础上

256 MB或更大

模具

注： 128 Mbit的基础

模块

地址信号13

注： 1基于千兆

模块

注意：模块的基础上

512 MB或更小

模具

数据总线63：0

167

A13

–

SSTL

–

地址信号

130

BA0

BA1

银行地址总线1 ： 0

数据信号

105

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

DQ8

DQ9

DQ10

DQ11

DQ12

I / O

SSTL

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