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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第1061页 > HUF76423P3
HUF76423P3 , HUF76423S3S
数据表
1999年10月
网络文件编号
4708.2
33A , 60V , 0.035 Ohm的N通道,逻辑
等级UltraFET功率MOSFET
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
特点
JEDEC TO- 263AB
(法兰)
超低导通电阻
- r
DS ( ON)
= 0.030,
V
GS
=
10V
- r
DS ( ON)
= 0.035,
V
GS
=
5V
仿真模型
- 温度补偿PSPICE
和SABER
电气模型
- 香料和SABER
热阻抗模型
- www.intersil.com
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
来源
(法兰)
HUF76423P3
HUF76423S3S
符号
D
开关时间与
GS
曲线
订购信息
产品型号
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
76423P
76423S
HUF76423P3
HUF76423S3S
G
S
注:订货时,使用整个零件编号。添加SUF科幻x深
获得在磁带和卷轴,例如, HUF76423S3ST的变种。
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
HUF76423P3,
HUF76423S3S
单位
V
V
V
A
A
A
A
漏源极电压(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压(R
GS
= 20kΩ时)(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续(T
C
= 25
o
C,V
GS
= 5V) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续(T
C
= 25
o
C,V
GS
= 10V )(图2)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续(T
C
= 100
o
C,V
GS
= 5V) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续(T
C
= 100
o
C,V
GS
= 4.5V )(图2)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .UIS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in ( 1.6毫米)从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
L
包体为10S ,见Techbrief TB334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意事项:
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
60
60
±16
33
35
23
22
图4
图6,图17,18
85
0.567
-55至175
300
260
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意事项:
应力超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
1
注意:这些器件对静电放电敏感。遵循正确的ESD处理程序。
UltraFET 是Intersil公司的商标。于PSpice的是MicroSim公司的注册商标。
SABER 比喻是公司1-888- INTERSIL或407-727-9207的著作权
|
版权
Intersil公司1999 。
HUF76423P3 , HUF76423S3S
电气连接特定的阳离子
参数
OFF状态规格
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V (图12)
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V ,T
C
= -40
o
C(图12)
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V ,T
C
= 150
o
C
门源漏电流
ON状态规格
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA (图11)
I
D
= 35A ,V
GS
= 10V (图9,图10)
I
D
= 23A ,V
GS
= 5V (图9)
I
D
= 22A ,V
GS
= 4.5V (图9)
热规格
热阻结到外壳
热阻结到
环境
R
θJC
R
θJA
的TO-220和TO- 263
-
-
-
-
1.76
62
o
C / W
o
C / W
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
符号
测试条件
典型值
最大
单位
60
55
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
3
0.030
0.035
0.038
V
V
A
A
nA
V
GS
=
±16V
1
-
-
-
-
0.025
0.029
0.032
V
交换特定网络阳离子
(V
GS
= 4.5V)
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
t
ON
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
关闭
t
ON
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
关闭
Q
G( TOT )
Q
g(5)
Q
G( TH )
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
(图13)
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 30V,
I
D
= 23A,
I
G( REF )
= 1.0毫安
(图14 ,图19, 20)的
V
DD
= 30V ,我
D
= 35A
V
GS
=
10V,
R
GS
= 10
(图16 , 21 , 22 )
V
DD
= 30V ,我
D
= 22A
V
GS
=
4.5V ,R
GS
= 10
(图15 , 21 , 22 )
-
-
-
-
-
-
-
12
147
32
50
-
245
-
-
-
-
125
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交换特定网络阳离子
(V
GS
= 10V)
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
栅极电荷规格
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
电容规格
输入电容
输出电容
反向传输电容
-
-
-
1060
315
65
-
-
-
pF
pF
pF
-
-
-
-
-
28
15
1.2
3.5
7
34
18
1.5
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
-
-
-
-
-
-
-
7
85
47
76
-
140
-
-
-
-
185
ns
ns
ns
ns
ns
ns
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
符号
V
SD
t
rr
Q
RR
I
SD
= 23A
I
SD
= 11.5A
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 23A ,二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 23A ,二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
1.25
1.0
80
205
单位
V
V
ns
nC
2
HUF76423P3 , HUF76423S3S
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
40
1.0
I
D
,漏电流( A)
30
V
GS
= 10V
20
V
GS
= 4.5V
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
,外壳温度(
o
C)
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
,外壳温度(
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
2
Z
θJC
归一化
热阻抗
占空比 - 降序排列
0.5
1 0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项:
DUTY因子:D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
吨,矩形脉冲持续时间( S)
图3.归一化最大瞬态热阻抗
500
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前,如下所示:
V
GS
= 10V
I = I
25
175 - T
C
150
I
DM
峰值电流( A)
100
V
GS
= 5V
可能限流
在这个区域
20
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
T,脉冲宽度( S)
10
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
3
HUF76423P3 , HUF76423S3S
典型性能曲线
300
(续)
300
I
AS
,雪崩电流( A)
如果R = 0
t
AV
= (L)(我
AS
) / ( 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
0
t
AV
= ( L / R) LN [(我
AS
* R ) / ( 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
100
I
D
,漏电流( A)
100
100s
起始物为
J
= 25
o
C
10
起始物为
J
= 150
o
C
10
操作在此
区域可以
限于由R
DS ( ON)
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
1ms
10ms
1
0.01
0.1
1
10
100
1
1
10
V
DS
,漏源极电压( V)
100
t
AV
,一次雪崩(毫秒)
注:请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关
能力
图5.正向偏置安全工作区
60
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
V
DD
= 15V
I
D
,漏电流( A)
60
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
I
D,
漏电流( A)
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
T
C
= 25
o
C
V
GS
= 4V
45
45
30
T
J
= 175
o
C
15
T
J
= 25
o
C
0
2.0
T
J
= -55
o
C
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
30
V
GS
= 3.5V
15
V
GS
= 3V
2.5
0
0
1
2
3
4
V
GS
,门源电压( V)
V
DS
,漏源极电压( V)
图7.传热特性
图8.饱和特性
50
归一漏极至源极
抗性
2.5
I
D
= 35A
r
DS ( ON)
,漏极到源极
ON电阻(mΩ )
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
T
C
= 25
o
C
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
V
GS
= 10V ,我
D
= 35A
2.0
40
I
D
= 25A
I
D
= 15A
30
1.5
1.0
20
2
4
6
8
10
V
GS
,门源电压( V)
0.5
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
,结温(
o
C)
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
4
HUF76423P3 , HUF76423S3S
典型性能曲线
1.2
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
(续)
1.2
I
D
= 250A
1.0
1.1
0.8
1.0
0.6
0.4
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
,结温(
o
C)
T
J
,结温(
o
C)
图11.归一化栅极阈值电压Vs
结温
图12.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
V
GS
,门源电压( V)
10
V
DD
= 30V
8
3000
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
C,电容(pF )
1000
6
C
OSS
C
DS
+ C
GD
100
4
C
RSS
=
C
GD
V
GS
= 0V , F = 1MHz的
2
任意波形
降序排列:
I
D
= 35A
I
D
= 25A
I
D
= 15A
0
5
10
15
20
25
30
0
1
10
60
Q
g
,栅极电荷( NC)
20
0.1
V
DS
,漏源极电压( V)
注:请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。
图14.门充电波形恒
栅电流
图13.电容VS漏源极电压
250
V
GS
= 4.5V, V
DD
= 30V ,我
D
= 22A
切换时间(纳秒)
200
t
r
切换时间(纳秒)
200
V
GS
= 10V, V
DD
= 30V ,我
D
= 35A
150
t
D(关闭)
t
f
t
r
150
t
f
100
t
D(关闭)
50
t
D(上)
0
0
10
20
30
40
50
R
GS
,门源电阻( Ω )
100
50
t
D(上)
0
0
10
20
30
40
50
R
GS
,门源电阻( Ω )
图15.开关时间与栅极电阻
图16.开关时间与栅极电阻
5
HUF76423P3 , HUF76423S3S
数据表
2001年12月
33A , 60V , 0.035 Ohm的N通道,逻辑
等级UltraFET功率MOSFET
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
来源
(法兰)
JEDEC TO- 263AB
(法兰)
特点
超低导通电阻
- r
DS ( ON)
= 0.030,
V
GS
=
10V
- r
DS ( ON)
= 0.035,
V
GS
=
5V
仿真模型
- 温度补偿的PSpice和SABER
电气模型
- 香料和剑热阻抗模型
- www.fairchildsemi.com
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
开关时间与
GS
曲线
HUF76423P3
HUF76423S3S
符号
D
订购信息
产品型号
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
76423P
76423S
HUF76423P3
HUF76423S3S
G
S
注:订货时,使用整个零件编号。添加SUF科幻x深
获得在磁带和卷轴,例如, HUF76423S3ST的变种。
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
HUF76423P3 , HUF76423S3S
单位
V
V
V
A
A
A
A
60
60
±16
33
35
23
22
图4
图6,图17,18
85
0.567
-55至175
300
260
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
绝对最大额定值
漏源极电压(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压(R
GS
= 20kΩ时)(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续(T
C
= 25
o
C,V
GS
= 5V) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续(T
C
= 25
o
C,V
GS
= 10V )(图2)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续(T
C
= 100
o
C,V
GS
= 5V) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续(T
C
= 100
o
C,V
GS
= 4.5V )(图2)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 UIS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in ( 1.6毫米)从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ,见Techbrief TB334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意事项:
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
注意事项:
应力超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
产品的可靠性信息, http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html被发现
对于恶劣的环境,看到我们的汽车HUFA系列。
所有飞兆半导体产品的制造,在ISO9000和QS9000质量体系认证,组装和测试。
2001仙童半导体公司
HUF76423P3 , HUF76423S3S版本B
HUF76423P3 , HUF76423S3S
电气规格
参数
OFF状态规格
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V (图12)
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V ,T
C
= -40
o
C(图12)
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V ,T
C
= 150
o
C
门源漏电流
ON状态规格
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA (图11)
I
D
= 35A ,V
GS
= 10V (图9,图10)
I
D
= 23A ,V
GS
= 5V (图9)
I
D
= 22A ,V
GS
= 4.5V (图9)
热规格
热阻结到外壳
热阻结到
环境
R
θJC
R
θJA
的TO-220和TO- 263
-
-
-
-
1.76
62
o
C / W
o
C / W
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
符号
测试条件
典型值
最大
单位
60
55
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
V
A
A
nA
V
GS
=
±16V
1
-
-
-
-
0.025
0.029
0.032
3
0.030
0.035
0.038
V
交换特定网络阳离子
(V
GS
= 4.5V)
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
t
ON
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
关闭
t
ON
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
关闭
Q
G( TOT )
Q
g(5)
Q
G( TH )
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
(图13)
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 30V,
I
D
= 23A,
I
G( REF )
= 1.0毫安
(图14 ,图19, 20)的
V
DD
= 30V ,我
D
= 35A
V
GS
=
10V,
R
GS
= 10
(图16 , 21 , 22 )
V
DD
= 30V ,我
D
= 22A
V
GS
=
4.5V ,R
GS
= 10
(图15 , 21 , 22 )
-
-
-
-
-
-
-
12
147
32
50
-
245
-
-
-
-
125
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交换特定网络阳离子
(V
GS
= 10V)
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
栅极电荷规格
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
电容规格
输入电容
输出电容
反向传输电容
-
-
-
1060
315
65
-
-
-
pF
pF
pF
-
-
-
-
-
28
15
1.2
3.5
7
34
18
1.5
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
-
-
-
-
-
-
-
7
85
47
76
-
140
-
-
-
-
185
ns
ns
ns
ns
ns
ns
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
符号
V
SD
t
rr
Q
RR
I
SD
= 23A
I
SD
= 11.5A
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 23A ,二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 23A ,二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
1.25
1.0
80
205
单位
V
V
ns
nC
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HUF76423P3 , HUF76423S3S
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
I
D
,漏电流( A)
30
V
GS
= 10V
20
V
GS
= 4.5V
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
,外壳温度(
o
C)
40
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
,外壳温度(
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
2
Z
θJC
归一化
热阻抗
占空比 - 降序排列
0.5
1 0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项:
DUTY因子:D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
吨,矩形脉冲持续时间( S)
图3.归一化最大瞬态热阻抗
500
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前,如下所示:
V
GS
= 10V
I = I
25
175 - T
C
150
I
DM
峰值电流( A)
100
V
GS
= 5V
可能限流
在这个区域
20
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
T,脉冲宽度( S)
10
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
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HUF76423P3 , HUF76423S3S
典型性能曲线
300
(续)
300
I
AS
,雪崩电流( A)
如果R = 0
t
AV
= (L)(我
AS
) / ( 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
0
t
AV
= ( L / R) LN [(我
AS
* R ) / ( 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
100
I
D
,漏电流( A)
100
100s
起始物为
J
= 25
o
C
10
起始物为
J
= 150
o
C
10
操作在此
区域可以
限于由R
DS ( ON)
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
1ms
10ms
1
0.01
0.1
1
10
100
1
1
10
V
DS
,漏源极电压( V)
100
t
AV
,一次雪崩(毫秒)
注:请参阅飞兆半导体应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关
能力
图5.正向偏置安全工作区
60
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
V
DD
= 15V
I
D
,漏电流( A)
60
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
I
D,
漏电流( A)
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
T
C
= 25
o
C
V
GS
= 4V
45
45
30
T
J
= 175
o
C
15
T
J
= 25
o
C
0
2.0
T
J
= -55
o
C
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
30
V
GS
= 3.5V
15
V
GS
= 3V
2.5
0
0
1
2
3
4
V
GS
,门源电压( V)
V
DS
,漏源极电压( V)
图7.传热特性
图8.饱和特性
50
归一漏极至源极
抗性
I
D
= 35A
2.5
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
T
C
= 25
o
C
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
V
GS
= 10V ,我
D
= 35A
r
DS ( ON)
,漏极到源极
ON电阻(mΩ )
2.0
40
I
D
= 25A
I
D
= 15A
30
1.5
1.0
20
2
4
6
8
10
V
GS
,门源电压( V)
0.5
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
,结温(
o
C)
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
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HUF76423P3 , HUF76423S3S
典型性能曲线
1.2
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
(续)
1.2
I
D
= 250A
1.0
1.1
0.8
1.0
0.6
0.4
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
,结温(
o
C)
T
J
,结温(
o
C)
图11.归一化栅极阈值电压Vs
结温
图12.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
V
GS
,门源电压( V)
10
V
DD
= 30V
8
3000
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
C,电容(pF )
1000
6
C
OSS
C
DS
+ C
GD
100
4
任意波形
降序排列:
I
D
= 35A
I
D
= 25A
I
D
= 15A
0
5
10
15
20
25
30
C
RSS
=
C
GD
V
GS
= 0V , F = 1MHz的
2
0
1
10
60
Q
g
,栅极电荷( NC)
20
0.1
V
DS
,漏源极电压( V)
注:请参阅飞兆半导体应用笔记AN7254和AN7260 。
图14.门充电波形恒
栅电流
图13.电容VS漏源极电压
250
V
GS
= 4.5V, V
DD
= 30V ,我
D
= 22A
切换时间(纳秒)
200
t
r
切换时间(纳秒)
200
V
GS
= 10V, V
DD
= 30V ,我
D
= 35A
150
t
D(关闭)
t
f
t
r
150
t
f
100
t
D(关闭)
50
t
D(上)
0
0
10
20
30
40
50
R
GS
,门源电阻( Ω )
100
50
t
D(上)
0
0
10
20
30
40
50
R
GS
,门源电阻( Ω )
图15.开关时间与栅极电阻
图16.开关时间与栅极电阻
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