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典型特征
EVM ，误差向量幅度（ ％ RMS）
27
26
PS ，功率增益（分贝）
25
24
23
85_C
22
21
20
1920
V
DD
= 27伏直流电，P
OUT
= 5 W（ CW ） ，我
DQ1
= 160 mA时，我
DQ2
= 230毫安
F1 = 1960兆赫， F2 = 1960.1兆赫，双音测量
1930
1940
1950
1960
1970
1980
1990
2000
25_C
T
C
= 30_C
8
V
DD
= 27伏直流
I
DQ1
= 160毫安
I
DQ2
= 230毫安
F = 1960 MHz的
η
D
85_C
30
25_C
4
T
C
= 30_C
2
来源EVM = 0.60 ％
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）的魅力。
100
10
20
40
η
D
,
排水 FFI效率（ ％ ）
6
0
0
男，频率（MHz）
图15.功率增益与频率
频谱再生@ 400 kHz和600 kHz的（ DBC）
45
50
55
60
65
SR @ 400千赫
70
25_C
75
80
85
0
10
P
OUT
，输出功率（瓦）的魅力。
100
SR @ 600千赫
30_C
85_C
V
DD
= 27伏直流
I
DQ1
= 160毫安
I
DQ2
= 230毫安
F = 1960 MHz的
EDGE调制
T
C
= 30_C
ACPR ，相邻通道功率比（ DBC）
ALT 1 & 2 ，备用1 & 2信道功率比（ DBC）
图16. EVM和漏极效率与
输出功率
40
45
50
55
60
ACPR
65
70
75
ALT2
V
DD
= 27伏直流
I
DQ1
= 160 mA时，我
DQ2
= 230毫安
F = 1960 MHz的
N-二CDMA IS- 95 （先导，同步，寻呼，
交通守则8 13 ）
85_C
25_C
ALT1
80
22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
P
OUT
IS- 95输出功率（dBm ）
图17.频谱再生长，在400千赫和600千赫
与输出功率
10
MTTF因子（小时X AMPS
2
)
图18.单 - 载波N - CDMA ACPR ，
ALT1和ALT2与输出功率
1.E+09
20
插入相位（ ）
_
1.E+08
第二阶段
30
T
C
= 30_C
25_C
40
85_C
50
1.E+07
第一阶段
60
0
1
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦） CW
1.E+06
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180 190
T
J
，结温（ ° C）
这上面的图显示在小时X安培计算的平均无故障时间
2
漏极电流。在升高的温度寿命测试已经关联到
优于
±10%
对金属故障的理论预测。分
由我MTTF因子
D2
为MTTF在一个特定的应用。
图19.插入相位与输出功率
图20. MTTF因子与结温
MW5IC2030NBR1 MW5IC2030GNBR1
8
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
