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表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
在30 MHz带宽从线性相位偏差
（从1930年化 - 1990兆赫）
延迟
部分 - 到 - 部分相变
部分 - 到 - 部分增益变化（每手或卷）
参考FET射频FET缩放比率达（阶段1和2 ）
符号
P1dB
Φ
延迟
ΔΦ
ΔG
民
—
—
—
—
—
—
典型值
30
±1
2.25
±10
±1.5
10
最大
—
—
—
—
—
—
单位
W
°
ns
°
dB
%
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具）V
DD
= 26伏直流，我
DQ1
= 160 mA时，我
DQ2
= 230毫安， P
OUT
= 5 W ， F = 1960 MHz的
典型小灵通表演
（飞思卡尔测试夹具， 50
οhm
系统）V
DD
= 26伏直流，我
DQ1
= 260 mA时，我
DQ2
= 1100毫安，P
OUT
=
12.6 W， 1900兆赫，小灵通信号掩码
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
相邻通道功率比
（ 600 kHz偏置192 kHz的带宽）
G
ps
η
D
IRL
ACPR
—
—
—
—
24
25
- 15
- 72
—
—
—
—
dB
%
dB
dBc的
MW5IC2030NBR1 MW5IC2030GNBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
