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飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MW5IC2030N
启8 ， 5/2006
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MW5IC2030N宽带集成电路设计上 - 芯片
匹配，使得它可用一九三〇年至1990年兆赫。这种多 - 舞台
结构的额定电流为26至28伏的操作，涵盖所有典型蜂窝基站
站调制格式。
最终的应用
典型的CDMA性能： V
DD
= 27伏，我
DQ1
= 160毫安，
I
DQ2
= 230毫安， P
OUT
。 = 5瓦的魅力，全频波段， IS - 95 CDMA
（先导，同步，寻呼，交通守则8 13 ） ，信道带宽=
1.2288兆赫。 PAR =上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 23分贝
漏极效率 - 20 ％
ACPR @ 885 kHz偏置 - - 49 dBc的30 kHz的信道带宽
驱动器应用
典型的CDMA性能： V
DD
= 27伏，我
DQ1
= 220毫安，我
DQ2
=
240毫安，P
OUT
。 = 1瓦的魅力，全频波段， IS - 95 CDMA （先导，
同步，寻呼，交通守则8 13 ） ，信道带宽=
1.2288兆赫。 PAR =上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 24分贝
ACPR @ 885 kHz偏置 - - 63 dBc的30 kHz的信道带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 27伏直流电，1990兆赫， 30瓦CW
输出功率
稳定到一个3:1的VSWR。所有马刺低于 - 60 dBc的@ 0 43 dBm的CW
P
OUT
.
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入， >4欧姆输出）
集成温度补偿能力与启用/禁用
功能
在 - 片内电流镜克
m
FET参考自偏置的应用
(1)
集成ESD保护
200℃有能力塑料包装
后缀表示铅 - 免费终结。符合RoHS 。
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米500台， 13英寸的卷轴
V
DS1
V
RD2
V
RG2
RF
in
V
RD1
V
DS2
/ RF
OUT
MW5IC2030NBR1
MW5IC2030GNBR1
1930年 - 1990兆赫， 30 W， 26 V
GSM / GSM EDGE ，W - CDMA，PHS
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
CASE 1329至1309年
TO - 272 WB - 16
塑料
MW5IC2030NBR1
CASE 1329A - 03
TO - 272 WB - 16 GULL
塑料
MW5IC2030GNBR1
GND
V
DS1
V
RD2
V
RG2
GND
RF
in
V
RD1
V
RG1
/V
GS1
V
GS2
NC
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
16
15
GND
NC
14
V
DS2/
RF
OUT
13
12
NC
GND
V
RG1
/V
GS1
V
GS2
静态电流
温度补偿
（ TOP VIEW ）
注：背面裸露的标志是源
终端晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1987 ，
静态电流控制的射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1987 。
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MW5IC2030NBR1 MW5IC2030GNBR1
1
RF设备数据
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