2N7002W - N沟道增强型场效应晶体管
2007年10月
2N7002W
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
超小型表面贴装封装
无铅/符合RoHS标准
D
S
G
SOT
-
323
标记： 2N
绝对最大额定值*
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
漏源电压
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏极 - 栅极电压
GS
≤
1.0M
栅源电压
漏电流
连续
脉冲
连续
连续@ 100℃
脉冲
价值
60
60
±20
±40
115
73
800
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
T
J ,
T
英镑
结温和存储温度范围
*这些额定值的限制值以上的任何半导体器件的适用性可以通过削弱。
热特性
符号
P
D
R
θJA
参数
器件总功耗
降额以上的牛逼
A
= 25°C
热阻，结到环境*
价值
200
1.6
625
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
*设备安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸。 Minimun焊盘的大小，
2007仙童半导体公司
2N7002W版本A
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