2N7002W - N沟道增强型场效应晶体管
典型性能特性
图7.反向漏电流的变化与
二极管的正向电压和温度
V
GS
= 0 V
图8.功率降额
280
I
S
反向漏电流， [马]
100
P
C
[毫瓦] ，功率耗散
150 C
o
240
200
160
25 C
10
o
120
-55 C
o
80
40
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
25
o
50
75
100
125
150
175
V
SD
，体二极管正向电压[ V]
T
a
[C] ，环境温度
2007仙童半导体公司
2N7002W版本A
4
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