2N7002W - N沟道增强型场效应晶体管
典型性能特性
图1.区域特征
1.6
图2.导通电阻变化与门
电压和漏极电流
3.0
I
D
。漏源电流（A ）
R
DS
（ON）
()
DRANI - 源导通电阻
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
GS
= 10V
5V
V
GS
= 3V
4V
4.5V
5V
6V
2.5
4V
2.0
10V
1.5
3V
9V
8V
7V
2V
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
DS
。漏源极电压（ V）
I
D
。漏源电流（A ）
图3.导通电阻变化与
温度
3.0
图4.导通电阻变化与
栅源电压
3.0
R
DS
（上）
()
DRANI - 源导通电阻
2.5
V
GS
= 10V
I
D
= 500毫安
R
DS
（ON）
()
DRANI - 源导通电阻
2.5
2.0
I
D
= 500毫安
2.0
1.5
I
D
= 50毫安
1.5
1.0
0.5
-50
1.0
0
50
100
o
150
2
4
6
8
10
T
J
。结温（ C）
V
GS
。栅源电压（ V）
图5.传输特性
1.0
o
图6.门阈值变化与
温度
Vth时，栅源阈值电压（ V）
2.5
I
D
。漏源电流（A ）
V
DS
= 10V
0.8
T
J
= -25 C
150 C
25 C
125 C
o
o
o
V
GS
= V
DS
2.0
0.6
I
D
= 1毫安
I
D
= 0.25毫安
1.5
75 C
0.4
o
0.2
0.0
2
3
4
5
6
1.0
-50
0
50
100
o
150
V
GS
。栅源电压（ V）
T
J
。结温（ C）
2007仙童半导体公司
2N7002W版本A
3
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