2N7002W - N沟道增强型场效应晶体管
电气特性
符号
参数
开关特性
(Note1)
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
V
GS
= 0V时，我
D
=10uA
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V ， @T
C
= 125°C
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
60
-
-
78
0.001
7
0.2
-
1.0
500
±10
V
uA
nA
基本特征
(Note1)
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
1.0
-
-
0.5
80
1.76
1.6
2.53
1.43
356.5
2.0
7.5
13.5
-
-
V
A
mS
Satic漏源导通电阻V
GS
= 5V ，我
D
= 0.05A,
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5A ， @T
j
= 125°C
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= 10V, V
DS
= 7.5V
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.2A
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
-
-
-
37.8
12.4
6.5
50
25
7.0
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
D（关闭）
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
V
DD
= 30V ，我
D
= 0.2A ，V
根
= 10V
R
L
= 150, R
根
= 25
-
-
5.85
12.5
20
20
ns
注1 ：持续时间短的测试脉冲用于最小化自加热效应
.
2007仙童半导体公司
2N7002W版本A
2
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