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M48T212Y ， M48T212V
图5.芯片使能控制和存储区选择时间
EX
tEXPD
A
tEXPD
E1CON
TAPD
E2CON
AI02639
表4.芯片使能控制和存储区选择特性
M48T212Y
符号
参数
民
t
EXPD
t
APD
EX为E1
CON
或E2
CON
（低或高）
A到E1
CON
或E2
CON
（低或高）
–70
最大
10
10
民
M48T212V
–85
最大
15
15
ns
ns
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