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M48T212Y ， M48T212V
读取模式
该M48T212Y / V执行一个读周期而当时─
以往W（写使能）高， E（芯片恩
能）是低的。由指定的唯一地址
地址输入（ A3 - A0 ）定义的哪一个
片上TIMEKEEPER
寄存器是要访问 -
ED 。当地址提交给
M48T212Y / V是在为0h - Fh范围内，所述一个
板载TIMEKEEPER寄存器访问和
有效的数据将提供给八个数据输出
T内的驱动程序
AVQV
地址输入信号后
是稳定的，提供了E和G存取时间
也satisfied.If不是，则数据存取
必须从后者发生的信号来测量
（E或G）和限制性参数是吨
ELQV
对于E或T
GLQV
对于G ，而不是地址访问
时间。
当EX输入为低电平时，外部SRAM单元
将被选中。
注意：
应注意避免同时服用ê
和EX低同时避免总线conten-
化。
图6.读周期时序： RTC控制信号波形
读
tAVAV
地址
TELQV
E
TELQX
G
TGLQV
tWLWH
W
tAVQV
tAVWL
tWHAX ALE低
读
tAVAV
写
tAVAV
TGLQX
tAXQX
TGHQZ
DQ7-DQ0
数据输出
有效
数据输出
有效
DATA IN
有效
AI02640
注： EX假设高。
表5.读模式AC特性
M48T212Y
符号
参数
(1)
民
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
ELQX(2)
t
GLQX(2)
t
EHQZ(2)
t
GHQZ(2)
t
AXQX
读周期时间
地址有效到输出有效
芯片使能低到输出有效
输出使能低到输出有效
芯片使能低到输出转换
输出使能低到输出转换
芯片使能高到输出高阻
输出使能高到输出高阻
地址转换到输出转换
5
5
0
20
20
5
70
70
70
25
5
0
25
25
–70
最大
民
85
85
85
35
M48T212V
–85
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
注： 1.有效的环境工作温度：T已
A
= 0至70℃或-40至85℃ ; V
CC
= 4.5 5.5V或3.0 3.6V （除非另有说明） 。
2. C
L
= 5pF的。
10/32
