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半导体公司
初步数据表
SONET / SDH 2.5Gb / s的激光二极管驱动器
VSC7923
最大外壳温度的计算
该VSC7923被设计成与125 ℃的最高结温操作。从壳体向上升
结由该装置的功率耗散来确定。功耗是由V决定
SS
电流加上工作我
MOD
我
BIAS
电流。
芯片的功率由下式确定：
P
D
= （ - VSS * I
SS
) + ((V
IOUT
– V
SS
) * I
MOD
) + ((V
IBIAS
– V
SS
) * I
BIAS
)
对于与实施例：
V
SS
I
MOD
I
BIAS
V
IBIAS
V
IOUT
=
=
=
=
=
-5.2V
40mA
20mA
-2.0V
-2.0V
P
D
= 5.2 * 220毫安） + （ （ 5.2 - 2.0 ） * 40毫安） + （ （ 5.2-- 2.0 ） * 20mA）的
PD = 1144mW + 128mW + 64MW = 1.336W
结点的热引起的情况是
θ
JC
* P
D
。用于金属玻璃封装，
θ
JC
= 32 ° C / W 。因此，热敏
MAL崛起是：
32 ° C / W * 1.336W = 42.7 ℃，
最高外壳温度为：
125°C – 42.7°C = 82.3°C
该装置的绝对最大功耗为：
V
SS
I
MOD
I
BIAS
V
IBIAS
V
IOUT
P
D
P
D
=
=
=
=
=
-5.5V
60mA
50mA
0V
0V
= （ 5.5 * 220毫安） + （ 5.5 * 60毫安） + （ 5.5毫安* 50毫安）
=
1.815W
这将净赚最大的结到外壳的热兴起： 1.815W * 32 ° C / W = 58℃
这种情况将允许最大外壳温度： 125°C - 58 ° C = 67℃
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G52203-0 ，版本3.0
05/11/01
