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半导体公司
初步数据表
VSC7923
特点
上升时间小于100ps的
高速运行（高达2.4GB / s的NRZ数据）
单端或差分输入操作
单电源供电
直接进入调制和偏置FET的
数据密度监视器
SONET / SDH 2.5Gb / s的激光二极管驱动器
应用
的SONET / SDH为622Mb / s时， 1.244Gb / s的
2.488Gb / s时， 3.125Gb / s的
全速光纤通道（ 1.062Gb / s的）
概述
该VSC7923是一款单5V电源，可直接进入到激光调制2.4 Gb / s的激光二极管驱动器和
偏置FET的。激光器偏置电流和调制电流由外部元件允许精度的监测设定
并设置电流电平。数据输入接受ECL电平。提供数据密度输出，以允许
用户调整在高不平衡数据应用的激光器偏置。
VSC7923框图
IOUT
NIOUT
MK
NMK
DIN
VREF
IMOD
要人
IBIAS
VIB
MIP
MIB
G52203-0 ，版本3.0
05/11/01
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半导体公司
741卡莱普莱诺卡马里奥， CA 93012
联系电话： （ 800 ） VITESSE 传真： （ 805 ） 987-5896 电子邮件： prodinfo@vitesse.com
互联网： www.vitesse.com
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SONET / SDH 2.5Gb / s的激光二极管驱动器
表1 ：信号引脚参考
信号
DIN
MK ， NMK
NIOUT
IOUT
VSS
GND
要人
MIP
VIB
MIB
VREF
总销
VSC7923
TYPE
In
OUT
OUT
OUT
PWR
PWR
In
In
In
In
In
水平
ECL
ECL
＃引脚
1
2
1
1
数据输入
描述
数据密度差分输出
激光调制电流输出（互补）
激光调制电流输出（到激光阴极） ）
负电压轨
正电压轨
调门节点
调制源节点
偏置门节点
偏置源节点
数据输入参考
PWR
PWR
DC
DC
DC
DC
DC
5
9
1
1
1
1
1
24
表2 ：绝对最大额定值
符号
V
SS
T
J
T
英镑
等级
负电源电压
最高结温
储存温度
极限
V
CC
为-6.0V
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
表3 ：推荐工作条件
符号
GND
VSS
T
Cl
T
J
参数
正电压轨
负电压轨
工作温度
(1)
结温
民
—
-5.5
-40
典型值
0
-5.2
最大
—
-4.9
85
(2)
125
单位
V
V
°C
°C
条件
—
—
—
功耗= 1.25W
注：规格（ 1 ）下限是环境温度，上限为外壳温度。 （ 2 ）看的部分“计算
最大外壳温度“的详细最高温度计算。
表4 ： ECL的输入和输出
符号
V
IN
V
OH
V
OL
参数
输入电压摆幅
ECL输出高电压
ECL输出低电压
民
300
-1200
典型值
—
—
—
最大
800
单位
mV
mV
mV
条件
峰 - 峰值，V
REF
= -2.0V
50Ω至-2.0V
50Ω至-2.0V
—
-1600
—
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表5 ：功耗
符号
I
VSS
P
D
P
DMAX
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参数
电源电流（ VSS ）
总功耗
最大功率耗散
民
—
—
—
典型值
—
—
—
最大
220
1210
1815
单位
mA
mW
mW
条件
V
SS
= -5.5V ，我
MOD
= I
BIAS
= 0毫安
V
SS
= -5.5V ，我
MOD
= I
BIAS
= 0毫安，
R
负载
= 25Ω到GND
V
SS
= -5.5V ，我
MOD
= 60毫安，
I
BIAS
= 50mA时我
OUT
= 0V
表6 ：激光驱动器DC电气规格
符号
I
BIAS
I
MOD
V
IB
V
IP
V
OCM
参数
可编程激光器偏置电流
可编程调制电流
激光偏置控制电压
激光调制控制电压
输出电压符合
民
2
2
—
—
GND -
2.2V
典型值
—
—
—
—
—
最大
50
60
V
SS
+
2.1
V
SS
+
2.1
—
单位
mA
mA
V
V
V
—
条件
—
I
BIAS
= 50毫安
I
MOD
= 60毫安
V
SS
= -5.2V
表7 ：激光驱动器AC电气规格
符号
t
R
, t
F
参数
输出上升和下降时间
民
—
典型值
—
最大
100
单位
ps
条件
25Ω负载， 20％-80％ ，
15毫安<我
MOD
< 60毫安，
I
BIAS
= 20mA下
表8 ：封装热阻规格
符号
θ
JCC
θ
JCMG
参数
热阻结到外壳
热阻结到外壳
民
—
—
典型值
25
32
最大
—
—
单位
° C / W
° C / W
条件
陶瓷封装
金属玻璃封装
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最大外壳温度的计算
该VSC7923被设计成与125 ℃的最高结温操作。从壳体向上升
结由该装置的功率耗散来确定。功耗是由V决定
SS
电流加上工作我
MOD
我
BIAS
电流。
芯片的功率由下式确定：
P
D
= （ - VSS * I
SS
) + ((V
IOUT
– V
SS
) * I
MOD
) + ((V
IBIAS
– V
SS
) * I
BIAS
)
对于与实施例：
V
SS
I
MOD
I
BIAS
V
IBIAS
V
IOUT
=
=
=
=
=
-5.2V
40mA
20mA
-2.0V
-2.0V
P
D
= 5.2 * 220毫安） + （ （ 5.2 - 2.0 ） * 40毫安） + （ （ 5.2-- 2.0 ） * 20mA）的
PD = 1144mW + 128mW + 64MW = 1.336W
结点的热引起的情况是
θ
JC
* P
D
。用于金属玻璃封装，
θ
JC
= 32 ° C / W 。因此，热敏
MAL崛起是：
32 ° C / W * 1.336W = 42.7 ℃，
最高外壳温度为：
125°C – 42.7°C = 82.3°C
该装置的绝对最大功耗为：
V
SS
I
MOD
I
BIAS
V
IBIAS
V
IOUT
P
D
P
D
=
=
=
=
=
-5.5V
60mA
50mA
0V
0V
= （ 5.5 * 220毫安） + （ 5.5 * 60毫安） + （ 5.5毫安* 50毫安）
=
1.815W
这将净赚最大的结到外壳的热兴起： 1.815W * 32 ° C / W = 58℃
这种情况将允许最大外壳温度： 125°C - 58 ° C = 67℃
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输入终端方案
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图1 ：输入结构
OV （ GND ）
1400
DIN
X
VREF
X
4300
1400
+
-
4300
额定VREF = -1.3V
1400年， 4300欧姆的电阻
上模，标称值
-5.2V （ VSS ）
图2 ：单端交流耦合
GND
0.1F
来源
GND
DIN
50欧姆
GND
X
50
VREF
+
X
0.1F
GND
VSS
-
-2V
图3 ：差分交流耦合
GND
0.1F
来源
0.1F
DIN
X
GND
GND
+
50
-2V
X
GND
GND
-
VSS
50
-2V
VREF
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