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怀特电子设计
名称(功能)
COMMAND INHIBIT ( NOP )
无操作( NOP )
ACTIVE (选择银行并激活行) ( 3 )
READ (选择银行和列,然后开始读突发) ( 4 )
WRITE (选择银行和列,然后开始写突发) ( 4 )
BURST TERMINATE
预充电(停用排在银行或银行) ( 5 )
自动刷新或自刷新(进入自刷新模式), (6,7 )
加载模式寄存器( 2 )
写使能/输出使能( 8 )
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
RAS
X
H
L
H
H
H
L
L
L
CAS
X
H
H
L
L
H
H
L
L
WEDPNF8M722V-XBX
表3真值表 - 命令和DQM操作
(N
OTE
1)
WE
X
H
H
H
L
L
L
H
L
DQM
X
X
X
L / H
8
L / H
X
X
X
X
L
8
ADDR
X
X
行/列
行/列
行/列
X
CODE
X
操作码
I / O的
X
X
X
X
有效
活跃
X
X
X
活跃
写禁止/输出高阻( 8 )
H
高-Z
注意事项:
1. CKE是高的,除了自刷新显示的所有命令。
2. A0-11定义操作码写入模式寄存器。
3. A0-11提供行地址和BA0 , BA1确定哪些银行被激活。
4. A0-8提供列地址; A10 HIGH启用自动预充电功能(非永久),而A10 LOW禁用自动预充电功能; BA0 , BA1
确定哪些银行正在读取或写入。
5. A10低: BA0 , BA1确定银行被预充电。 A10高:所有银行预充电和BA0 , BA1是“不在乎。 ”
6.此命令自动刷新,如果CKE高;自刷新如果CKE是低电平。
7.内部刷新计数器控制行寻址;所有的输入和I / O的“不关心” ,除了CKE 。
8.激活或停用的I / O写操作期间(零时钟延迟) ,并读取(双时钟延迟) 。
COMMAND INHIBIT
该命令禁止功能可以防止新的命令
从由所述的SDRAM是否执行,而不管
CLK信号被使能。 SDRAM的实际上是dese-
选中。操作已在进行中不受影响。
BA0 , BA1输入选择银行,地址亲
vided上输入A0-11选择行。该行仍
活性(或打开),用于直到一个预充电命令的访问
颁发给该银行。预充电命令必须是
在同一家银行开立不同的行前发出。
无操作( NOP )
NO的操作(NOP)命令用于执行
NOP指令到所选择的SDRAM( CS为低电平) 。该预
通风口不需要的命令,从过程中被注册
空闲或等待状态。操作已经在进行中是不
的影响。
READ命令用于启动一个突发的读访问
对活动行。在BA0价值, BA1输入选择
银行,并提供了对输入的地址A0-8 SE-
脉冲编码的起始列位置。输入A10的值
确定自动预充电是否使用。如果
自动预充电被选择时,被访问的行会
在读突发结束时预充电;如果AUTO
预充电没有被选中,该行将继续开放供
后续访问。读出的数据显示在I / O的分
拍摄对象上的DQM的逻辑电平输入两个时钟更早。
如果给定信号DQM注册HIGH时,相应
荷兰国际集团的I / O将是高阻两个时钟周期后,如果DQM信号
注册低电平时, I / O的将提供有效的数据。
加载模式寄存器
该模式寄存器通过输入A0-11加载。见模式
注册朝着注册德网络nition部分。在LOAD
只能发出模式寄存器命令时,所有
银行是闲置的,而随后的可执行命令
无法发出,直至超过tMRD满足。
活跃
激活命令用于在打开(或激活)的行
用于随后的访问一个特定的银行。对价值
11
WRITE命令用于启动突发写入访问
对活动行。在BA0价值, BA1输入选择
银行,并提供了对输入的地址A0-8选择
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