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怀特电子设计
WV3EG232M64EFSU-D4
先进
DDR SDRAM组件电气特性和建议AC
工作条件
（续）
0 ° C≤牛逼
A
= 70℃ ，V
CC
= +2.5V ±0.2V, V
CCQ
= +2.5V ±0.2V
参数
模式寄存器设置循环时间
DQ & DM设置时间DQS
DQ & DM保持时间DQS
控制&地址输入脉冲宽度
DQ & DM输入脉冲宽度
掉电退出时间
退出自刷新非读命令
退出自刷新，以读取命令
刷新间隔时间
输出DQS有效窗口
时钟半周期
数据保持倾斜因子
DQS写后记的时间
主动阅读与自动预充电命令
Autoprecharge写恢复+预充电
时间
符号
t
MRD
t
DS
t
DH
t
IPW
t
DIPW
t
PDEX
t
XSNR
t
XSRD
t
REFI
t
QH
t
HP
t
QHS
t
WPST
t
RAP
t
DAL
335
民
12
0.45
0.45
2.2
1.75
6
75
200
7.8
t
HP
-t
QHS
t
CLmin或
t
chmin
0.4
18
(t
WR
/t
CK
) +
(t
RP
/t
CK
)
最大
民
15
0.5
0.5
2.2
1.75
7.5
75
200
7.8
t
HP
-t
QHS
t
CLmin或
t
chmin
0.4
20
(t
WR
/t
CK
) +
(t
RP
/t
CK
)
262
最大
民
15
0.5
0.5
2.2
1.75
7.5
75
200
7.8
t
HP
-t
QHS
t
CLmin或
t
chmin
0.4
20
(t
WR
/t
CK
) +
(t
RP
/t
CK
)
265
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
us
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
3
记
7
7
4
1
5
—
—
0.55
0.6
—
—
0.75
0.6
—
—
0.75
0.6
1.最大连拍数量刷新周期： 8
2.特定网络连接C需要量是DQS有效（高或低），或在此CK边缘之前。如图（ DQS从High_Z将逻辑低）的情况下适用于在没有被写入
以前在总线上的进步。如果先前的写正在进行中， DQS可以是高，此时，取决于吨
DQSS
.
3.最大限制这个参数不是一个设备的限制。该装置将使用此参数的一个很有价值的工作，但系统性能（总线周转）会降低
因此。
4.写命令可以与T应用
RCD
该命令后SATIS网络版。
5.对于已注册的DIMM ，T
CL
和T
CH
是这一时期的≥ 45 ％，其中包括两个半周期抖动（T
JIT （ HP ）
） PLL和半周期抖动引起的串扰（T
JIT （串扰）
）的DIMM 。
6.输入建立/保持摆率降额
输入建立时间/保持斜率
（V / ns的）
0.5
0.4
0.3
t
IS
（ ps的）
0
+50
+100
t
IH
（ ps的）
0
+50
+100
该降额表用于增加吨
IS
/t
IH
在输入的转换速率低于0.5V / ns的情况下。输入建立/保持的基础上的AC- AC转换率较低的压摆率
和DC-DC转换速率。
7. I / O设置/保持摆率降额
I / O设置/保持斜率
（V / ns的）
0.5
0.4
0.3
t
DS
（ ps的）
0
+75
+150
t
DH
（ ps的）
0
+75
+150
该降额表用于增加吨
DS
/t
DH
在所述的I / O压摆率是低于0.5V / ns的情况下。 I / O基础上， AC- AC转换速率较小的建立/保持的压摆率
和DC-DC转换速率。
2005年4月
第0版
8
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