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怀特电子设计
WV3EG232M64EFSU-D4
先进
DDR SDRAM组件电气特性和建议AC
工作条件
0 ° C≤牛逼
A
≤ + 70°C ; V
CC
= V
CCQ
= +2.5V ±0.2V
AC运行试验条件
参数
行周期时间
刷新行周期时间
行活动时间
RAS到CAS延迟
行预充电时间
行有效至行主动延迟
写恢复时间
最后的数据读取命令
上校地址上校地址的延迟
时钟周期时间
时钟高电平宽度
时钟低电平宽度
从CK / CK ＃ DQS进出时间
从CK / CK ＃输出数据访问时间
数据选通边缘到输出的数据边缘
阅读序言
阅读后同步
CK到有效DQS-中
DQS -的建立时间
DQS -保持时间
DQS下降沿到CK上升沿的建立时间
DQS下降沿从CK上升，保持时间
DQS -在高电平宽度
DQS -在低电平宽度
DQS -循环时间
地址和控制输入设置时间（快）
地址和控制输入保持时间（快）
地址和控制输入设置时间（慢）
地址和控制输入保持时间（慢）
从CK / CK ＃数据输出高阻抗的时间
从CK / CK ＃数据输出低阻抗时间
输入压摆率（输入专用管脚）
输入压摆率（用于I / O引脚）
输出摆率（ X4，X8 ）
输出转换速率匹配比（上升下降）
CL=2.0
CL=2.5
符号
t
RC
t
RFC
t
RAS
t
RCD
t
RP
t
RRD
t
WR
t
WTR
t
CCD
t
CK
t
CH
t
CL
t
DQSCK
t
AC
t
DQSQ
t
RPRE
t
RPST
t
DQSS
t
WPRES
t
WPRE
t
DSS
t
DSH
t
DQSH
t
DQSL
t
DSC
t
IS
t
IH
t
IS
t
IH
t
HZ
t
LZ
t
SL （I）的
t
SL（ IO）的
t
SL （ O）
t
SLMR
335
民
60
72
42
18
18
12
15
1
1
7.5
6
0.45
0.45
-0.6
-0.7
–
0.9
0.4
0.75
0
0.25
0.2
0.2
0.35
0.35
0.9
0.75
0.75
0.8
0.8
-0.7
-0.7
0.5
0.5
1.0
0.67
最大
民
65
75
45
20
20
15
15
1
1
7.5
7.5
0.45
0.45
-0.75
-0.75
–
0.9
0.4
0.75
0
0.25
0.2
0.2
0.35
0.35
0.9
0.9
0.9
1.0
1.0
-0.75
-0.75
0.5
0.5
1.0
0.67
262
最大
民
65
75
45
20
20
15
15
1
1
10
7.5
0.45
0.45
-0.75
-0.75
–
0.9
0.4
0.75
0
0.25
0.2
0.2
0.35
0.35
0.9
0.9
0.9
1.0
1.0
-0.75
-0.75
0.5
0.5
1.0
0.67
265
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
ns
ns
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
t
CK
ns
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V / ns的
V / ns的
V / ns的
记
70K
120K
120K
12
12
0.55
0.55
+0.6
+0.7
0.45
1.1
0.6
1.25
12
12
0.55
0.55
+0.75
+0.75
0.5
1.1
0.6
1.25
12
12
0.55
0.55
+0.75
+0.75
0.5
1.1
0.6
1.25
5
5
5
2
1.1
1.1
1.1
6
6
6
6
+0.7
+0.7
+0.75
+0.75
+0.75
+0.75
6
7
4.5
1.5
4.5
1.5
4.5
1.5
AC时序参数都是基于三星的组件。其它DRAM制造商参数可以是不同的。
2005年4月
第0版
7
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
