PROFET
ITS436L2
参数和条件
at
T
j
=-40...+150°C,
V
bb
= 12伏，除非另有说明
符号
值
民
典型值
最大
单位
保护功能
10)
电流限制（引脚35）
（见第11页上的时序图）
I
L（ LIM ）
46
39
30
--
--
41
43
150
--
--
--
100
58
51
38
40
1.9
68
58
46
--
--
A
T
j
=-40°C:
T
j
=25°C:
T
j
=+150°C:
重复短路停机电流限制
I
L（血肌酐）
T
j
=
T
jt
（见时序图，第11页）
11)
热关断时间
T
，开始
= 25°C:
t
关（ SC）的
（见第11页上的时序图）
A
ms
输出钳位（感性负载开关关闭）
at
V
OUT
=
V
bb
-
V
开（ CL）的
I
L
= 40毫安：
热过载跳闸温度
热滞
电池反接（引脚3 1 ）
12)
13 )
反向电池电压下降
(V
OUT
＆ GT ; V
bb
)
I
L
= -2 A
T
j
=150 °C:
诊断特性
负载开路检测电流
（视情）
V
开（ CL）的
T
jt
T
jt
-V
bb
-V
ON （转）
I
L（ OL ）
47
--
10
--
600
--
52
--
--
32
--
900
V
°C
K
V
mV
mA
输入和状态反馈
14
)
输入阻抗
看到电路第7页
输入端导通阈值电压
输入关断阈值电压
输入阈值迟滞
关机状态下的输入电流（引脚2 ）
V
IN
= 0.4 V
在状态输入电流（引脚2 ）
V
IN
= 5 V
延迟时间与负载开路状态
关掉后
（见第11页上的时序图）
R
I
V
IN（ T + ）
V
IN（ T-）
V
IN（ T）
I
中（关闭）
I
IN（上）
t
D（ ST OL4 ）
2.5
1.7
1.5
--
1
20
100
3.5
--
--
0.5
--
50
520
6
3.2
--
--
50
90
900
k
V
V
V
A
A
s
状态输出（漏极开路）
齐纳电压的限制
意法半导体的低电压
10
)
I
ST
= 1.6毫安：
V
意法半导体（高）
I
ST
= 1.6毫安：
V
意法半导体（低）
5.4
--
6.1
--
--
0.4
V
11
)
12
)
13
)
14
)
集成的保护功能被设计为防止在所描述的故障条件下的IC破坏
数据表。故障条件被认为是"outside"正常工作范围。保护功能
并非设计用于连续重复操作。
设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜面积Vbb的
连接。 PCB是垂直的不吹气。
要求150
电阻接地连接。逆向负载电流通过固有漏 - 源
二极管具有由所连接的负载进行限制。注意，该功耗是高于正常
操作条件下，由于在整个本征漏极 - 源极二极管的电压降。温度
保护不动作电流反向操作过程中！输入和状态电流必须被限制（见
最大。收视率第3和电路第7页） 。
不受生产测试，设计规定
如果接地电阻R
GND
用加电阻两端的电压降。
英飞凌科技股份公司
第5页
2006-Mar-28
