PROFET
ITS436L2
智能高侧电源开关
用于工业应用的
一个通道： 38mΩ
状态反馈
产品概述
导通状态电阻
工作电压
额定负载电流
电流限制
工作温度
R
ON
V
bb的（上）
I
L（ NOM ）
I
L（血肌酐）
T
a
38m
4.75...41V
9.8A
40A
-30 …+85°C
包
PG-TO220-5-11
PG-TO220-5-12
标准
直
概述
N沟道垂直功率MOSFET，电荷泵，接地参考CMOS兼容输入和
诊断反馈，单片集成在智能SIPMOS
技术。
提供嵌入式保护功能
应用
μC与5V ， 12V和24V的诊断反馈兼容的高侧电源开关，接地载荷
工业应用
各类阻性，感性和capacitve加载中
最适合负载，高浪涌电流，使灯具
替代机电继电器，熔断器和分立电路
基本功能
极低的待机电流
CMOS兼容输入
感性负载的快速退磁
在欠稳定的行为
宽工作电压范围
独立于负载地逻辑地
保护功能
短路保护
过载保护
电流限制
热关断
过电压保护（包括负载突降）与外部
电阻器
用外部电阻反向电池保护
地面损失和V损失
bb
保护
静电放电保护（ ESD ）
框图
VBB
IN
ST
逻辑
同
保护
功能
OUT
负载
诊断功能
与开漏输出诊断反馈
开路负载检测在ON状态
热关断在ON状态反馈
PROFET
GND
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2006-Mar-28
PROFET
ITS436L2
最大额定值
at
T
j
= 25 ° C除非另有规定编
参数
电源电压
（过电压保护页4 ）
电源电压为充分短路保护
T
开始
=-40 ...+150°C
负载突降保护
1)
V
LoadDump
= V
A
+
V
s
, V
A
= 13.5 V
2
R
I
)
= 2
,
R
L
= 4.0
,
t
d
= 200毫秒， IN =低或高
负载电流
（电流限制，请参见第5页）
结温
工作温度范围
存储温度范围
功耗（ DC ） ，T
C
≤
25 °C
最大可切换电感，单脉冲
Vbb电= 12V，
T
，开始= 150℃ ，
T
C = 150 ℃的常量。
4
（请参见第8页上的图）
I
L（ ISO ） = 9.8 A， RL = 0
,
E
)
AS
=0.33J:
符号
V
bb
V
bb
V
负载突降
I
L
T
j
T
a
T
英镑
P
合计
Z
L
V
ESD
3
值
43
24
60
自限
+150
-30 … +85
-40 ...+105
75
5.0
1.0
4.0
8.0
-10 ... +16
±2.0
±5.0
单位
V
V
V
A
°C
W
mH
kV
静电放电能力（ ESD ）
IN：
（人体模型）
ST ：
给所有其他引脚短路：
ACC 。 MIL- STD883D ，方法3015.7和
ESD ASSN 。性病。 S5.1-1993 ; R = 1.5kΩ上; C = 100pF的
输入电压（直流）
电流通过输入端子（DC）的
电流通过状态引脚（ DC）
看到内部电路图第7页
V
IN
I
IN
I
ST
V
mA
热特性
参数和条件
热阻
符号
芯片 - 案例：
R
thJC
结 - 环境（自由空气） ：
R
thJA
5
器件在PCB ） ：
民
--
--
--
值
典型值
最大
-- 1.75
--
75
33
--
单位
K / W
1
)
2
)
3
)
4
)
5
)
电源电压高于V高
BB （ AZ ）
需要一个外部电流限制为GND和状态引脚（一个150Ω
推荐电阻与GND连接）。
R
I
=甩负荷试验脉冲发生器的内部电阻
V
负载突降
是没有设置连接到发电机根据ISO 7637-1和DIN 40839的DUT
E
AS
为最大电感关断能量
设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）铜面积为V
bb
连接。 PCB是垂直的不吹气。
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PROFET
ITS436L2
电气特性
参数和条件
at
T
j
=-40...+150°C,
V
bb
= 12伏，除非另有说明
符号
值
民
典型值
最大
单位
负载切换功能和特点
通态电阻（引脚35）
I
L = 2 A; V
BB
≥
7V
见下图，第9页
T
j
=25 °C:
R
ON
T
j
=150 °C:
I
L（ ISO）的
I
L（ GNDhigh ）
--
35
64
9.8
--
100
120
--
--
38
72
--
2
200
250
1
1
m
额定负载电流， （引脚35）
ISO 10483-1 ， 6.7 ： V
ON
=0.5V,
T
C
=85°C
8.8
--
50
50
0.1
0.1
A
mA
s
输出电流（引脚
5
），而GND断开或
GND拉升
6
)
,
V
bb
=30 V,
V
IN
= 0,
见图7页
开启时间
IN
打开-O FF时间
IN
R
L
= 12
,
上压摆率
10至30％
V
OUT
,
R
L
= 12
,
压摆率关闭
70 ％至40％
V
OUT
,
R
L
= 12
,
操作参数
工作电压
到90％
V
OUT
:
t
on
至10％
V
OUT
:
t
关闭
的dV / dt
on
-dV / DT
关闭
V / μs的
V / μs的
T
j
=-40
V
bb的（上）
T
j
=+25...+150°C:
7
)
过压保护
T
j
=-40°C:
V
BB （ AZ ）
I
bb
= 40毫安
T
j
=25...+150°C:
8)
待机电流（引脚3 ）
T
j
=-40...+25°C
:
I
的bb （关闭）
V
IN
=0;
请参阅第9页上的图
T
j
= 150°C:
I
L（关闭）
关态输出电流（包括在
I
的bb （关闭）
)
V
IN
=0
工作电流
9
)
,
V
IN
=5 V
I
GND
4.75
41
43
--
--
--
--
--
--
--
47
5
--
1
0.8
41
43
--
52
8
25
10
1.4
V
V
A
A
mA
6
)
7
)
8
)
9
)
不受生产测试，设计规定
电源电压高于V高
BB （ AZ ）
需要一个外部电流限制为GND和状态引脚（一个150Ω
推荐电阻与GND连接。另请参阅
V
开（ CL）的
在表中的保护功能和
电路图第7页。
测量负载
添加
I
ST
如果
I
ST
＆ GT ; 0 ，加
I
IN
如果
V
IN
＆ GT ; 5.5 V
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参数和条件
at
T
j
=-40...+150°C,
V
bb
= 12伏，除非另有说明
符号
值
民
典型值
最大
单位
保护功能
10)
电流限制（引脚35）
（见第11页上的时序图）
I
L（ LIM ）
46
39
30
--
--
41
43
150
--
--
--
100
58
51
38
40
1.9
68
58
46
--
--
A
T
j
=-40°C:
T
j
=25°C:
T
j
=+150°C:
重复短路停机电流限制
I
L（血肌酐）
T
j
=
T
jt
（见时序图，第11页）
11)
热关断时间
T
，开始
= 25°C:
t
关（ SC）的
（见第11页上的时序图）
A
ms
输出钳位（感性负载开关关闭）
at
V
OUT
=
V
bb
-
V
开（ CL）的
I
L
= 40毫安：
热过载跳闸温度
热滞
电池反接（引脚3 1 ）
12)
13 )
反向电池电压下降
(V
OUT
＆ GT ; V
bb
)
I
L
= -2 A
T
j
=150 °C:
诊断特性
负载开路检测电流
（视情）
V
开（ CL）的
T
jt
T
jt
-V
bb
-V
ON （转）
I
L（ OL ）
47
--
10
--
600
--
52
--
--
32
--
900
V
°C
K
V
mV
mA
输入和状态反馈
14
)
输入阻抗
看到电路第7页
输入端导通阈值电压
输入关断阈值电压
输入阈值迟滞
关机状态下的输入电流（引脚2 ）
V
IN
= 0.4 V
在状态输入电流（引脚2 ）
V
IN
= 5 V
延迟时间与负载开路状态
关掉后
（见第11页上的时序图）
R
I
V
IN（ T + ）
V
IN（ T-）
V
IN（ T）
I
中（关闭）
I
IN（上）
t
D（ ST OL4 ）
2.5
1.7
1.5
--
1
20
100
3.5
--
--
0.5
--
50
520
6
3.2
--
--
50
90
900
k
V
V
V
A
A
s
状态输出（漏极开路）
齐纳电压的限制
意法半导体的低电压
10
)
I
ST
= 1.6毫安：
V
意法半导体（高）
I
ST
= 1.6毫安：
V
意法半导体（低）
5.4
--
6.1
--
--
0.4
V
11
)
12
)
13
)
14
)
集成的保护功能被设计为防止在所描述的故障条件下的IC破坏
数据表。故障条件被认为是"outside"正常工作范围。保护功能
并非设计用于连续重复操作。
设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜面积Vbb的
连接。 PCB是垂直的不吹气。
要求150
电阻接地连接。逆向负载电流通过固有漏 - 源
二极管具有由所连接的负载进行限制。注意，该功耗是高于正常
操作条件下，由于在整个本征漏极 - 源极二极管的电压降。温度
保护不动作电流反向操作过程中！输入和状态电流必须被限制（见
最大。收视率第3和电路第7页） 。
不受生产测试，设计规定
如果接地电阻R
GND
用加电阻两端的电压降。
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